SiCp增强泡沫铝制备工艺研究

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对熔体发泡法制备SiCp增强泡沫铝基复合材料的制备工艺进行了探索,通过正交试验研究了SiC的粒度、发泡剂TiH2的加入量、发泡温度、保温时间等工艺参数对泡沫铝孔隙率及孔结构的影响,确定了制备SiCp增强泡沫铝基复合材料的最佳工艺参数:掺入10%(质量分数)1000目的SiC颗粒增粘,在发泡剂TiH2加入量为2%(质量分数),搅拌时间2min,保温温度700℃以及保温时间3min的工艺条件下,制得的泡沫铝的孔隙率达到80%,平均密度达到了0.5g/cm^3,且基本没有无泡层。最后对泡沫铝的产业化生产的可行性
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