Ce^3+离子激活的SrB4O7的VUV光谱

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yangying_han
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
Ce3+只有一个4f电子,具有最简单的4f15d0基态结构,其激发光谱直接反映了5d轨道的能量状态.由于同一基质晶格相同格位上不同稀土离子受基质晶体场影响相近,所以根据Ce3+离子的光谱可以推测和分析其他稀土离子的5d轨道能量,是研究其他稀土离子f-d跃迁的基础.采用高温固相法合成了Ce3+离子激活的SrB4O7发光体,测定了样品在130~350 nm波长范围的激发光谱和相应的发射光谱.指认了VUV激发光谱上Ce3+离子的5个4f1→4f05d1跃迁激发带,讨论了SrB4O7的基质吸收带和Ce3+的5d轨
其他文献
利用稳态荧光光谱和时间分辨超快光谱研究了DCM掺杂PVK(聚乙烯咔唑)体系的发光特性和能量转移.根据DCM的吸收光谱与PVK的荧光光谱,用Forster理论估算出DCM:PVK掺杂体系能量转
采用时间与空间分辨的光谱测量技术,测量了在低真空下XeCl紫外激光烧蚀金属Cu诱导产生等离子体发光羽的发射光谱随时间和空间的强度分布,利用快速同步照相的方法获得了发光羽的
采用变分方法研究氮化物抛物量子阱(GaN/AlxGa1-xN)材料中类氢杂质态的能级,给出基态能量、第一激发态能量、结合能和跃迁能量等物理量随抛物量子阱宽度变化的函数关系.研究
通过不同Yb3+掺杂浓度(5%~30%,原子数分数)的Yb : YAG晶体的阴极射线发光谱、衰减时间、光输出及其温度依赖关系的测量,研究了Yb : YAG晶体的闪烁性能.不同Yb3+掺杂浓度的Yb :
运用密度矩阵方法推导出了特殊非对称量子阱中电光系数的解析表达式,并以典型的GaAs/AlGaAs非对称量子阱为例进行了数字计算。计算结果表明,量子阱的非对称性随着参数α的增大而
给出了三代微光像管中微通道板离子壁垒膜对入射正离子阻止作用的描述,引进了核阻止本领、电子阻止本领和平均射程的概念。结合Tomas-Fermi屏蔽势进行了分析讨论和Monte—Carl
采用变分法、幺正变换和拉格朗日乘子法,研究了有限温度下纯二维晶体中表面磁极化子的性质。讨论了表面光学声子平均数、磁极化子振动频率λ与磁场B、温度T及Lagrange乘子u之
考虑电子与体纵光学声子相互作用时,采用LLP变分方法,研究柱形量子线中极化子性质,导出了柱形量子线中极化子光学声子平均数随量子线截面半径和电子-LO声子耦合强度的变化关
介绍了具有高色纯度的多层有机白光器件,器件发光的色坐标为x=0.33,y=0.34,非常接近白光等能点,是色度很好的白光器件.而且在8~14 V很大的范围内,发光色度随器件的驱动电压或
硒化镉量子点具有随粒径尺寸改变,而产生发光波长调变的特性,目前已被广泛研究.本研究是由化学溶胶法合成不同粒径尺寸的核壳型CdSe/ZnS硒化镉量子点,其表面包覆十六烷基胺,