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成果简介： 本项目致力于开发GaN垂直结构LED芯片，包括外延片结构设计，LED芯片设计、制造和特性分析。在垂直结构LED器件制造过程中，蓝宝石剥离后，大大提升了LED器件的导热性能，因而输出更大功率和更高亮度。香港应用科技研究院开发出独特的化学机械抛光法（CMP），成功地取代了常用的激光剥离技术，在逆向电流规格方面，提高了工艺产量。
可供转移的技术为去除蓝宝石衬底专用的化学机械抛光法工艺技术和GaN垂直结构LED芯片的设计和特性分析。
可供转移的技术为去除蓝宝石衬底专用的化学机械抛光法工艺技术和GaN垂直结构LED芯片的设计和特性分析。