SiC Lateral Devices on Semi-insulating Substrate

来源 :电力电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fado

【摘要】

：

The advancements in the technology development for silicon carbide(SiC) lateral devices are summarized in the past years.By replacing conducting substrates in t

【作者】

：

Chih-Fang Huang

【机构】

：

NationalTsingHuaUniversity

【出处】

：

电力电子技术

【发表日期】

：

2017年8期

【关键词】

：

碳化硅技术创新电荷补偿阻断电压 devices semi-insulating substrate

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The advancements in the technology development for silicon carbide(SiC) lateral devices are summarized in the past years.By replacing conducting substrates in the conventional devices with semi-insulating ones and by considering the charge compensation in

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