【摘 要】
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测量HgCdTe组分均匀性已有许多方法,但有些方法中仪器设备昂贵。而较为简单的方法,只能估算晶片的平均组分,不能测组分分布。我们采用我所和复旦大学共同研制的SR-2自动扩展
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所
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测量HgCdTe组分均匀性已有许多方法,但有些方法中仪器设备昂贵。而较为简单的方法,只能估算晶片的平均组分,不能测组分分布。我们采用我所和复旦大学共同研制的SR-2自动扩展电阻探针仪,测量HgCdTe晶体微区电阻率分布,由此反映HgCdTe横向组分均匀性,获得了满意的结果,认为它是一种简便、实用而又比较精确的方法。
There are many ways to measure the homogeneity of HgCdTe components, but some of them are expensive. The more simple method can only estimate the average component of the wafer, can not be measured component distribution. We use the SR-2 self-expanding resistance probe jointly developed by Fudan University and I to measure the HgCdTe crystal micro-area resistivity distribution, which reflects the homogeneity of the HgCdTe lateral component, and obtains the satisfactory result. It is considered as a Simple, practical and more accurate method.
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