浅结工艺研究及其在0.5μmCMOS集成电路中的应用

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xuelun2003
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采用低能量的砷离子注入和可抑制沟道效应的硅表面预先无定形技术,分别得到了0.13μm N~+/P结和0.17μm P~+/N结,并应用于0.5μm CMOS集成电路的制造。
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