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采用单源化学气相沉积(SSCVD)法，在Si(100)基片上通过改变前驱反应体与基片的入射角度，获得了可控柱状取向的ZnO薄膜。研究发现，入射角度的改变可使沉积薄膜中的柱状结构的生成方向倾斜。但X射线衍射(XRD)分析表明：ZnO薄膜的c轴(002)取向与入射角无关，且不沿ZnO柱状结构的生长方向取向。由于ZnO的(002)面为其表面自由能最低且原子密度高的晶面，ZnO薄膜的生长更易于在垂直于基片表面的方向c轴取向生长。