【摘 要】
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技术开发单位中国科学院半导体研究所技术简介该材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在蓝宝石或碳化硅衬底上外延生长高性能GaN基电子材料,为《军用技术转民用推广目录(2
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技术开发单位中国科学院半导体研究所技术简介该材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在蓝宝石或碳化硅衬底上外延生长高性能GaN基电子材料,为《军用技术转民用推广目录(2012年度)》中微电子与电子信息领域的重点推荐项目。
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