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本文描述了改进的Ｆｕｋｕｉ法，利用改进的Ｆｕｋｕｉ法可以精确地测量了ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的栅极串联电阻。实测结果表明，漏一源电阻的测量受栅势垒内建电势影响较小而受夹断电压影响较大，从漏－源电阻与Ｘ关系曲线的弯曲方向可以定性地判断夹断电压的误差方向。
对Fukui法测量MESFET栅极串联电阻的改进
【摘 要】
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本文描述了改进的Ｆｕｋｕｉ法，利用改进的Ｆｕｋｕｉ法可以精确地测量了ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的栅极串联电阻。实测结果表明，漏一源电阻的测量受栅势垒内建电势影响较小而受夹断电压影响较大，从漏－源电阻与Ｘ关系曲线的弯
【机 构】
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北京工业大学电子工程系可靠性物理研究室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1999年3期
【基金项目】
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电子部“九五”预研项目和北京市科技新星项目资助
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