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对由抗辐射加固与非加固工艺生成的Si/SiO2系统进行了60Co辐照前后的界面结构分析。实验结果表明,这两类Si-SiO2在硅的二氧化硅态和过渡态,氧的剩余氧态和负二价氧态的XPS谱上具有较大差异;其中非加固样品的XPS谱与辐照条件具有强烈的依赖关系,而加固样品的XPS谱随辐照条件的变化产生较小的变动。两类Si-SiO2的XPS谱均显示出辐照剂量对样品的损伤作用大于辐照偏置电场。文中根据辐射在SiO2-Si中产生电子-空穴对的观点,就实验现象进行了机制分析。更多还原