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在MOCVD设备中采用改进的射频辅助生长装置，通过裂解N2及N-Al共掺杂的方法进行ZnO的p型掺杂研究。通过二次离子质谱（SIMS）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、光致发光（PL）谱等方法分析了薄膜中N杂质的浓度，以及射频功率与晶体质量、表面形貌以及光学特性之间的关系，并与Al掺杂和N掺杂的ZnO薄膜进行对比。实验结果表明，N掺杂的浓度高达10^20cm^-3；N-Al共掺杂极大地增加了ZnO的成核速率，其主要原因是N离化所起的作用；N-Al共掺的ZnO薄膜显示出P型性质，而N掺杂的Zn