二氧化硅覆盖退火增强磷化铟基体激光器材料的量子阱混合

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tangyajun1314

【摘要】

：

我们对ＳｉＯ２覆盖退火增强ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器材料量子阱混合技术进行了实验研究。相对于原始样品，退火时无ＳｉＯ２覆盖的样品经８００℃，３０ｓ快速退火后，其光致发光谱的峰值波长“蓝移”７ｎｍ，退火时有ＳｉＯ２覆盖的样品经过同样

【作者】

：

韩德俊朱洪亮

【机构】

：

北京师范大学低能核物理所,国家光电子工艺中心中国科学院半导体研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1999年3期

【关键词】

：

激光器材料二氧化硅磷化铟量子阱 Encapsulation Semiconducting indium phosphide

【基金项目】

：

国家自然科学基金!(批准号 :697860 0 1 ),,北京科技新星计划基金资助

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我们对ＳｉＯ２覆盖退火增强ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器材料量子阱混合技术进行了实验研究。相对于原始样品，退火时无ＳｉＯ２覆盖的样品经８００℃，３０ｓ快速退火后，其光致发光谱的峰值波长“蓝移”７ｎｍ，退火时有ＳｉＯ２覆盖的样品经过同样的快速退火后，其光致发光谱的峰值波长“蓝移”了５６ｎｍ。即在同一片子上实现了在需要量子阱混合的区域带隙的“蓝移”足够大的同时，不希望量子阱混合的区域能带结

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