【摘 要】
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以有限元法为基础,对高阶兰姆波型微机电系统（MEMS）声表面波谐振器进行了仿真.研究了压电材料及其厚度、Si基底厚度对高阶兰姆波声速的影响规律,结果表明,AlN压电薄膜器件的高
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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以有限元法为基础,对高阶兰姆波型微机电系统（MEMS）声表面波谐振器进行了仿真.研究了压电材料及其厚度、Si基底厚度对高阶兰姆波声速的影响规律,结果表明,AlN压电薄膜器件的高阶兰姆波的声速比ZnO和LiNbO3器件更大.压电材料较薄时传播兰姆波,太厚时则传播瑞利波.高阶兰姆波的声速随着硅基底厚度增加而逐渐降低,并趋于一个稳定值.在此基础上,提出了在电极上方加载一层压电薄膜来提高兰姆波声速的器件结构,仿真结果表明,通过增加一层AlN薄膜,可提高高阶兰姆波的声速,进而提高器件的谐振频率.
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