【摘 要】
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用外延生长的砷化镓材料制造了具有均匀掺杂浓度的器件,而且由简单的直流测量便很容易鉴定二极管的质量。
Devices made of epitaxially grown gallium arsenide (GaN) mate
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用外延生长的砷化镓材料制造了具有均匀掺杂浓度的器件,而且由简单的直流测量便很容易鉴定二极管的质量。
Devices made of epitaxially grown gallium arsenide (GaN) material with a uniform doping concentration are easily identified by simple DC measurements.
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