【摘 要】
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运行在869MHz-2.17GHz频段内的蜂窝无线基站是射频功率晶体管如今最大的市场.其中,基于硅的LDMOS器件被广泛使用于500MHz-2.5GHz之间的射频功率放大器应用当中.作为增强模式
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运行在869MHz-2.17GHz频段内的蜂窝无线基站是射频功率晶体管如今最大的市场.其中,基于硅的LDMOS器件被广泛使用于500MHz-2.5GHz之间的射频功率放大器应用当中.作为增强模式的N沟道MOSFET,LDMOS器件(LD代表侧面扩散,描述了器件的沟道结构)专门被设计成为具有高的工作电压(长沟道)和低寄生电容,从而能在高频下工作.在早期的蜂窝无线系统中,其它的功率晶体管技术如基于硅的双极晶体管和GaAsMOSFET在相互竞争.而现在基于硅的LDMOS已经崛起,并将在今后的蜂窝基站应用中取代其
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