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冰冻芯片能提高Si芯片的速度IBM与佐治亚理工学院联合研究成功冰冻Si芯片能提高芯片工作速度。他们将基于Si的芯片,通过将电路“冰冻”在零下451℃下,使电路在500GHz以上频率工作,比当今手机通常2GHz频率快250倍。该项目研究宗旨是探索SiGe器件终极速度。超高频SiGe电路在商用 Frozen chips can increase the speed of Si chips IBM and Georgia Tech joint study of successful frozen Si chips can increase chip speed. They will be based on Si chips, which will operate at frequencies above 500GHz by “freezing” the circuit at minus 451 ° C, 250 times faster than the usual 2GHz frequency for today’s handsets. The project’s mission is to explore the ultimate speed of SiGe devices. UHF SiGe circuit in commercial
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