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Na掺杂对TiO2基材料电子结构、电子迁移特性及光吸收性质的影响

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sitmaar

【摘 要】

：

在赝势法密度泛函理论的基础上,系统研究了Na掺杂对TiO2基材料电子结构、载流子迁移和光吸收性质的影响。纯的TiO2基晶态材料呈现宽的直接带隙,其带隙宽度达2.438 eV,Na掺杂

【作 者】

：

唐文翰 房慧 李凡生 黄灿胜 余小英 王如志 

【机 构】

：

广西民族师范学院物理与电子工程学院,北京工业大学材料科学与工程学院

【出 处】

：

人工晶体学报

【发表日期】

：

2018年5期

【关键词】

：

TIO2 Na掺杂 电子迁移性质 光吸收 TiO2Na dopingelectronic transport propertiesoptical absorpt 

【基金项目】

：

国家自然科学基金（11347141）, 广西自然科学基金（2015GXNSFBA139014）, 广西教育厅高等学校科学技术研究重点项目（KY2015ZD135）, 广西高校中青年教师基础能力提升项目（2017KY0833）, 2014年广西民族师范学院人才科研启动项目（2014RCGG001）

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在赝势法密度泛函理论的基础上,系统研究了Na掺杂对TiO2基材料电子结构、载流子迁移和光吸收性质的影响。纯的TiO2基晶态材料呈现宽的直接带隙,其带隙宽度达2.438 eV,Na掺杂降低了TiO2基晶态材料的带隙至1.976 eV。纯的TiO2电子主要形成五个能带,而Na掺杂TiO2主要形成七个能带。TiO2材料的载流子迁移率较Na掺杂TiO2材料高,而Na掺杂TiO2材料载流子有效质量较TiO2的高。Na掺杂在TiO2材料价带中引入空穴和新的能级。Na掺杂大大提高了TiO2材料的载流子浓度,Ti中的p态

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