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用输出功率为50W的CW CO_2激光照射纯硅烷(SiH_4)气体得到了a-Si:H薄膜。沉积速率达到200 /min。用电子衍射方法测定了所沉积的薄膜是非晶态的。测量了薄膜的光电导率和暗电导率,其比值达10~4量级。用紫外可见光谱分析了薄膜的光学性质,计算出光能隙为1.44～2.0eV。得到了沉积速率、光电导率、暗电导率、光学能隙随基片温度变化的关系曲线。阐述了CO_2激光化学气相沉积a-Si:H薄膜的机理。