新型半导体器件的发展:碲镉汞焦平面阵列

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本文从比较简单的探测器线性扫描阵列到延时和积分的探测器二维扫描阵列以及二维凝视阵列的军事技术要求的发展过程作了论述。我们对一种能满足大多数军事技术要求的探测器材料(即碲镉汞)引起重视的过程进行评述。阐述各种材料的生长方法。这些生长技术就其分析工具和生长过程中的控制而言,都与材料的特性鉴定技术紧密连系在一起。最后,评论焦平面阵列的加工技术和探测器与焦平面上加工参数之间的关系。 This article discusses the development of the military technology requirements from the simpler linear array of detectors to the two-dimensional array of detectors of delay and integral and the two-dimensional gazing array. We review the process by which a detector material that meets most military technical requirements (ie, mercury cadmium telluride) is valued. Describe the growth of various materials. These growth techniques are closely linked to the characterization of materials in terms of their analytical tools and control over the growth process. Finally, comment on the processing of focal plane arrays and the relationship between the detector and the processing parameters on the focal plane.
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