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本文研究了β－ＳｉＣｗ合成工艺参数和反应历程，提出了合成工艺优化参数，确定了反应进行了步骤。通过对晶须形貌、晶型、杂质含量的分析，表明本方法合成的β－ＳｉＣｗ具有较高的质量水平。
β—SiCW合成工艺及反应机理的研究
【摘 要】
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本文研究了β－ＳｉＣｗ合成工艺参数和反应历程，提出了合成工艺优化参数，确定了反应进行了步骤。通过对晶须形貌、晶型、杂质含量的分析，表明本方法合成的β－ＳｉＣｗ具有较高的质量水平。
【机 构】
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攀枝花钢铁研究院,中国矿业大学北京研究生部
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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1997年2期
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