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[学位论文] 作者：孙振翠,,
来源：山东师范大学 年份：2016
石墨烯是碳原子组成的二维六角型呈蜂巢状的单原子层晶体,拥有优异的光电性能、机械性能、高的比表面积、较好的化学稳定性和独特的平面结构等诸多优异性能,这使其可以作为一...
[期刊论文] 作者：孙振翠,,
来源：糖尿病新世界 年份：2015
目的：评价瑞格列奈联合二甲双胍治疗2型糖尿病的临床疗效。方法选取在2012年4月—2014年11月期间入住该院内科的2型糖尿病患者，共80例，采用随机数表法将其分为两组，其中对照组40......
[期刊论文] 作者：孙振翠,,
来源：世界最新医学信息文摘 年份：2015
在急性有机磷农药中毒抢救过程中,正确使用阿托品,是抢救成功率的关键。文章首先简述了有机磷中毒的概述,然后分析了阿托品化的指征观察,最后重点探讨了急救与护理。...
[学位论文] 作者：孙振翠,
来源： 年份：2004
GaN是一种十分优异的宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，是当前世界上最先进的半导体材料之一。室温下，GaN的禁带宽度为3.4eV，是制作光电子器件，尤其是蓝、绿发光二极管(LEDs)和激光二极管(LDs)的理想材料。此外，GaN也是制作高温、高频、大功率器件的理想材料。进入90年......
[期刊论文] 作者：孙振翠,
来源：医药前沿 年份：2014
目的：研究分硝苯地平缓释片联合厄贝沙坦片治疗原发性高血压的临床效果。方法选取2013年12月至2014年12月在我院确诊收治的100例原发性高血压患者作为研究对象，将所有患者随机...
[期刊论文] 作者：孙振翠,原所佳,孙海波,
来源：山东交通学院学报 年份：2007
采用射频磁控溅射工艺在预沉积和预沉积后再分布的扩镓Si基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN薄膜。用红外透射谱（mR）、X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、选区电子衍射（SAED）和荧光光谱（P......
[期刊论文] 作者：杨利,魏芹芹,孙振翠,薛成山,
来源：山东师范大学学报(自然科学版) 年份：2003
介绍了GaN薄膜材料的主要性质,制备工艺,掺杂,衬底和缓冲层等相关问题,并概述了GaN基器件的研究现状,提出了目前GaN研究中所面临的主要问题....
[期刊论文] 作者：孙海波,王强,裴素华,孙振翠,
来源：微纳电子技术 年份：2003
二氧化钛是一种良好的响应三甲胺气体的敏感材料,然而用它做成传感器后存在一个明显的缺点:阻值太高.文中采用不同气氛热退火和掺杂方法来提高TiO2基材料的电导率,从而制成一...
[期刊论文] 作者：王书运,孙振翠,曹文田,薛成山,
来源：分析测试学报 年份：2004
采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3氮化反应生长GaN薄膜.用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)、光电能谱(XPS)和荧光光谱(PL)对样品进行结构、形貌、...
[期刊论文] 作者：裴娟,秦羽丰,孙振翠,贾景立,
来源：泰山学院学报 年份：2014
膨胀系数用于表征固体材料的物理属性,具有广泛的科研和实践意义.为了减少物理量的测量个数、提高测量精度,根据霍尔元件在梯度磁场中的位移与霍尔电压的线性关系,提出了一种...
[期刊论文] 作者：王书运,孙振翠,曹文田,薛成山,
来源：分析测试技术与仪器 年份：2004
采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜，氮化反应组装GaN晶体膜，并对其生长条件进行研究．用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对样品进行结构、形貌分析．观测结果表明：采用......
[期刊论文] 作者：孙振翠,曹文田,魏芹芹,薛成山,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2004
采用NH3为N源,以Ga2O3粉末为Ga源高温氨化形成GaN粉末.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对粉末进行结构、形貌分析.结果表明:当Ga源温度为850℃...
[期刊论文] 作者：裴娟,张芹,原所佳,孙振翠,刘栋,
来源：山东交通学院学报 年份：2019
利用磁控溅射技术在氩氢混合气氛以及纯氩(Ar)气氛中分别制备(FeCo)xGe1-x-H和(FeCo)xGe1-x磁性半导体薄膜。对于2种磁性半导体薄膜,采用X射线衍射仪测量表明,加氢对(FeCo)xG...
[期刊论文] 作者：张芹, 岳大光, 刘文杰, 孙振翠, 梁军,
来源：实验科学与技术 年份：2022
让学生运用所学知识解决一般工程问题，能够自主设计元器件应用于工程实际，是实践课程的一项重要教学目标。以大学物理实验课程为例，以高阶性、创新性和挑战度（两性一度）为主线，从教学方法、教学设计、教学内容和考核方式4个方面分析了“开放实验+线上教学”模式在打造......
[期刊论文] 作者：裴素华,孙海波,王强,孙振翠,石礼伟,
来源：无机材料学报 年份：2004
TiO2是响应三甲胺(TMA)气体最佳的金属氧化物半导体材料,为保持TiO2基TMA旁热式气敏器件具有较高灵敏度和较低空气阻值(Ra),相应降低器件加热功率PH,本文通过N2气氛高温退火...
[期刊论文] 作者：孙振翠,曹文田,王书运,薛成山,伊长虹,
来源：功能材料与器件学报 年份：2008
采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN薄膜，研究硅基扩镓时间对GaN薄膜晶体质量的影响。利用红外透射谱（FTIR）、X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、光电能谱......
[期刊论文] 作者：曹文田,孙振翠,魏芹芹,薛成山,王强,
来源：功能材料与器件学报 年份：2003
利用热壁化学气相沉积在Si(111)衬底上获得GaN晶绳,采用傅里叶红外吸收谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)对晶绳进行组成...
[期刊论文] 作者：曹文田,孙振翠,魏芹芹,薛成山,孙海波,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2004
采用热壁化学气相沉积工艺在Si(111)衬底上生长GaN晶体膜,并对其生长条件进行研究.用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱(PL)对样品进行结构、形貌和发光特性的分析.测...
[期刊论文] 作者：孙振翠,曹文田,魏芹芹,薛成山,王书运,
来源：微纳电子技术 年份：2004
利用热壁化学汽相沉积在Si基上生长GaN薄膜.用扫描电镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外透射谱(FTIR)和荧光光谱(PL)对样品进行形貌、结构、组分和...
[期刊论文] 作者：魏芹芹,薛成山,孙振翠,曹文田,庄惠照,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2005
研究了Ga2O3/Al2O3膜反应自组装制备GaN薄膜.首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备Ga2O3/Al2O3膜,再将Ga2O3/Al2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到了GaN薄膜.用X射线衍射(XRD),X...
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