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[期刊论文] 作者：孙膺九,
来源：稀有金属 年份：1986
本文综述了MOS外延技术的发展、外延MOS结构的优越性及MOS器件对外延技术的要求。重点叙述了MOS外延工艺及其与内吸除技术的结合。...
[期刊论文] 作者：孙膺九,
来源：国外发光与电光 年份：1978
本文评述了近几年来半导体发光器件的市场和应用情况;评述了常见几种发光器件的现状;叙述了为提高器件效率和可靠性,在非辐射复合中心及退化机理方面所开展的一些基础研究工...
[期刊论文] 作者：孙膺九,
来源：稀有金属 年份：1987
本文评述了等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)硅外延技术的发展。叙述了PECVD外延的基本原理、设备与工艺以及目前取得的最新实验结果。同时也指出了PECVD外延在用于工业生产...
[期刊论文] 作者：孙膺九,
来源：半导体技术 年份：1987
硅片的标准化工作开始较早.早在1973年,美国半导体工业方面的一些组织和公司,就已致力于建立硅片的工业标准,1977年美国材料试验协会也颁布了“硅单晶抛光片的标准规范”.并...
[期刊论文] 作者：孙膺九,
来源：半导体技术 年份：1988
本文详细地综述了美国蒙桑托公司和西德瓦克公司的用于VLSI及ULSI的硅片标准.其中包括几何参数、结构参数、化学参数和电学参数.This article provides a comprehensive re...
[期刊论文] 作者：孙膺九,,
来源：稀有金属 年份：1983
硅中的间隙氧对于器件有着有害和有益的作用。因此,控制硅中氧的掺入和改进氧浓度轴向和径向分布是十分重要的。本文评述了硅中氧的掺人机理,描述了硅中氧的轴向和径向分布及...
[期刊论文] 作者：孙膺九,
来源：稀有金属 年份：1988
在 MOS 电路(特别是 CMOS 电路)迫切地要求采用外延材料的促进下,硅外延生长设备得到了飞速的发展。本文综述了几种工业上大量采用的常规外延反应器和最近新发展的几种新型外...
[期刊论文] 作者：孙膺九,
来源：稀有金属 年份：1984
碳是硅中与氧密切相关的重要杂质,现在氧已成为影响器件性能及成品率的关键因素,碳的重要性也日益明显。然而,目前对碳的了解却远不如氧。本文将叙述硅中碳的来源与分布(包括...
[期刊论文] 作者：孙膺九,,
来源：上海金属.有色分册 年份：1982
微缺陷,又有人称为旋涡缺陷,主要是指蚀坑呈旋涡分布的微缺陷。现已知道,旋涡缺陷只不过是微缺陷的一种。呈旋涡分布的缺陷并非都是微缺陷,如杂质条纹,经850℃以上氧化直拉...
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