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[期刊论文] 作者：王万业,
来源：微电子学 年份：1992
本文阐述了MOS/CMOS工艺工程技术的特点、研究内容和研究方法,对工艺工程技术进行了全面而系统的分析研究,以提高工艺综合水平,加速MOS和CMOS集成电路向高速化高集成化方向发...
[期刊论文] 作者：王万业,
来源：微电子学 年份：1990
本文把工艺工程技术作为一个专门的技术领域,从集成电路制造工艺技术中分离出来,并对它进行了系统的分析研究。一个完整的大规模和超大规模集成电路制造工艺技术应包括两个大...
[期刊论文] 作者：王万业,
来源：半导体技术 年份：1997
阐述了采用１．０μｍ ＣＭＯＳ技术制作的２５６ｋ ＳＲＡＭ的存储单元。论述了存储单元的性能在ＣＭＯＳ ＳＲＡＭ中的重要性，分析了存储单元的工作原理，结构和主要参数性能。文章对几种类别的ＣＯＭＳ ＳＲＡＭ存储单元进行了分析比较，推测......
[期刊论文] 作者：王万业,
来源：幸福生活指南 年份：2020
随着现代化技术以及信息化手段的高速发展,社会已经全面进入到了科技时代之中,这也使得社会各界对于电力资源的需求不断提升,而电力系统作为提供电力的关键所在,如果仍旧采用...
[期刊论文] 作者：王万业,
来源：半导体技术 年份：1993
本文从技术和技术管理的角度，研究探讨了一条多电路品种的ＣＭＯＳ科研开发线的运行机制。从多方面阐述了为保持这样一条件研开线高水平，高效益运转所必须考虑的一些基本准则。本文阐述......
[期刊论文] 作者：王万业,,
来源：微电子学与计算机 年份：1988
轻掺杂漏(LDD)结构是制造沟道长度小于2μm的NMOS器件及采用这种器件制造超大规模集成电路(VLSI)所常采用的技术之一。本文详细介绍了该技术的原理、结构、制作、设计及其特...
[期刊论文] 作者：王万业,
来源：微电子学 年份：1985
本文阐述了MOS器件的窄沟道效应,窄沟道效应对MOS器件的阈值电压的影响以及与窄沟道效应有关的各种因素,并且通过在不同衬底偏置电压条件下测量一组不同沟道宽度的MOS器件的...
[期刊论文] 作者：Ken Yu Mohsen,王万业,
来源：微电子学 年份：1985
高性能的 CMOS集成电路即将取代非常复杂的 n-NOS随机存取存贮器High-performance CMOS integrated circuits will soon replace the very complex n-NOS random access me...
[期刊论文] 作者：王万业,徐征,刘逵,
来源：微电子学 年份：2002
自对准硅化钛工艺有许多重要的优点.但也存在栅氧化物的完整性、硅化物桥接短路、pn结损伤、二极管特性退化等问题.文章针对这些问题,在硅化前和硅化后的清洗、硅化的快速退...
[会议论文] 作者：于宗光,王成,王万业,
来源：第八届全国可靠性物理学术讨论会 年份：1999
CMOS集成电路的静电击穿一直是影响集成电路可靠性的一个重要因素。当器件尺寸缩小到1微米以下时，在减小芯片I/O尺寸，提高工作频率的同时，保证较高的抗静电能力就显得尤为重要。......
[期刊论文] 作者：于宗光,徐征,叶守银,张国华,黄卫,王万业,许居衍,
来源：电子学报 年份：2000
本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的...
[期刊论文] 作者：于宗光,陆锋,徐征,叶守银,黄卫,王万业,许居衍,
来源：电子学报 年份：2000
本文从研究不同单元尺寸浮栅隧道氧化层EEPROM在不同状态、不同温度保存下阈值电压的变化入手 ,论述了浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷的泄漏机理 ,并提出了改进EEPROM保持...
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