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[期刊论文] 作者：薩支唐, 揭斌斌,,
来源：半导体学报 年份：2004
提出场引晶体管双极理论.替代已55年久,1952 Shockley发明单极理论.解释近来双栅纳米硅MOS晶体管实验特性——两条电子和两条空穴表面沟道,同时并存.理算晶体管输出特性和转...
[期刊论文] 作者：薩支唐,揭斌斌,
来源：半导体学报 年份：2007
本文描述双极场引晶体管（BiFET）飘移扩散理论，包括薄纯基上两个等同金属氧化物硅（MOS）栅,把两维晶体管分解成两个一维问题，以表面势为参变量，得到解析方程，提供实用硅基和氧化层厚度......
[期刊论文] 作者：薩支唐,揭斌斌,
来源：半导体学报 年份：2007
本文描述双极场引晶体管（BiFET）及其理论．把两维晶体管分解成两个一维晶体管，得到解析方程．以表面势为参变量，采用电化（准费米）势梯度驱动力计算电流．提供实用电极直流电压及器件参数......
[期刊论文] 作者：薩支唐,揭斌斌,
来源：半导体学报 年份：2008
本文描述半导体场引晶体管器件物理和理论所用的根本原则,它适用电场中有两种载流子的器件.讨论边界条件对器件电流电压特性的重要性.作为例子,计算两种边界条件下的转移直流...
[期刊论文] 作者：揭斌斌,薩支唐,
来源：半导体学报 年份：2008
上篇论文（XI）报告双极场引晶体管的电化电流理论,这篇论文（XII）报告飘移扩散理论.两篇都讨论了单栅双栅,纯基不纯基,薄基厚基的情形.两篇都用表面及内部电势作为参变量耦合电压方......
[期刊论文] 作者：薩支唐,揭斌斌,
来源：半导体学报 年份：2008
电迁移是在高电流密度下金属导体中原子输运，它在导体中产生空位，增加导体的电阻．Huntington于1961年描述电迁移；Black于1969年推导经验电阻公式用以模拟电迁移，给出电阻和失效实......
[期刊论文] 作者：揭斌斌,薩支唐,
来源：半导体学报 年份：2008
本文描述双极场引晶体管（BiFET）短沟道解析理论,用解析理论分别计算飘移扩散电流.上月文章用单项电化电流描述飘移扩散电流.正如那篇文章里,两维晶体管分成两个区域,源区和漏区......
[期刊论文] 作者：薩支唐,揭斌斌,
来源：半导体学报 年份：2008
场引晶体管本质双极，包括电子和空穴表面和体积沟道和电流，一或多个外加横向控制电场．自1952年Shockley发明，55年来它被认为单极场引晶体管，因电子电流理论用多余内部和边界条件，不......
[期刊论文] 作者：揭斌斌,薩支唐,
来源：半导体学报 年份：2008
本文描述双极场引晶体管（BiFET）短沟道理论．晶体管分成两个区域，源区和漏区．每区在特定外加端电压下既可为电子或空穴发射区又可为电子或空穴收集区．把两维无缺陷Shockley方程分离......
[期刊论文] 作者：揭斌斌,薩支唐,
来源：半导体学报 年份：2008
本文报告用双极场引晶体管（BiFET）电化电流解析理论计算的内禀结构直流特性,晶体管有两块等同MOS栅,纳米厚度纯硅基,没有产生复合和俘获.用交叉双路或Z形单路递归循环算法,很快...
[期刊论文] 作者：薩支唐,揭斌斌,
来源：半导体学报 年份：2007
提出场引晶体管双极理论.替代已55年久，1952 Shockley发明单极理论.解释近来双栅纳米硅MOS晶体管实验特性——两条电子和两条空穴表面沟道，同时并存.理算晶体管输出特性和转移...
[期刊论文] 作者：薩支唐,揭斌斌,
来源：半导体学报 年份：2008
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：薩支唐,揭斌斌,
来源：半导体学报 年份：2004
本文描述半导体场引晶体管器件物理和理论所用的根本原则,它适用电场中有两种载流子的器件.讨论边界条件对器件电流电压特性的重要性.作为例子,计算两种边界条件下的转移直流...
[期刊论文] 作者：揭斌斌,薩支唐,
来源：半导体学报 年份：2004
上篇论文(Ⅺ)报告双极场引晶体管的电化电流理论,这篇论文(Ⅻ)报告飘移扩散理论.两篇都讨论了单栅双栅,纯基不纯基,薄基厚基的情形.两篇都用表面及内部电势作为参变量耦合电...
[期刊论文] 作者：揭斌斌,薩支唐,
来源：半导体学报 年份：2008
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：揭斌斌,薩支唐,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2008
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：薩支唐,揭斌斌,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：揭斌斌,薩支唐,,
来源：半导体学报 年份：2011
The capacitance versus DC-voltage formula from electron trapping at dopant impurity centers is derived for MOS capacitors by the charge-storage method.Fermi-Dir...
MOS Capacitance-Voltage Characteristics Ⅱ.Sensitivity of Electronic Trapping at Dopant Impurity from
[期刊论文] 作者：揭斌斌,薩支唐,,
来源：半导体学报 年份：2011
Low-frequency and high-frequency Capacitance-Voltage(C-V) curves of Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors(MOSC),including electron and hole trapping at the dopan...
[期刊论文] 作者：揭斌斌,薩支唐,,
来源：半导体学报 年份：2011
Low-frequency and high-frequency capacitance-voltage curves of Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors are presented to illustrate giant electron and hole trapping...
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