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[期刊论文] 作者：王向武,赵仲镛,
来源：稀有金属 年份：1992
硅双漂移雪崩二极管由于具有较高的输出功率和转换效率,是颇有发展前景的微波半导体功率器件。由于器件的性能主要取决于多层外延材料的掺杂分布,即每层浓度、厚度的精确控制...
[期刊论文] 作者：王向武,赵仲镛,
来源：薄膜科学与技术 年份：1995
本文利用附面层模型，研究了亚性米Ｓｉ外延生长中，生长速率随时间的变化规律，分析不同不的硅源及不同的生长条件对其的影响。...
[期刊论文] 作者：王向武,陆春一,赵仲镛,
来源：半导体技术 年份：1992
本文提出了一种新的减小硅外延自掺杂影响的二步外延方法。利用该方法在均匀的重掺As衬底上外延,以10~(14)～10~(18)/cm~3浓度区域计算,获得了≤0.70μm的过渡区宽度,平坦区浓...
[期刊论文] 作者：王向武,陆春一,赵仲镛,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
在双层、异型硅外延中，通常采用预通掺杂剂二步外延法。本文对掺杂剂预通过程中产生的气一固扩散进行理论及实验研究，分析了预通条件（温度、时间、预通量等）对气一团扩散的影响，提......
[期刊论文] 作者：王向武,赵仲镛,陆春一,孙景山,
来源：稀有金属 年份：1992
硅双漂移雪崩二极管由于具有较高的输出功率和转换效率,是颇有发展前景的微波半导体功率器件。由于器件的性能主要取决于多层外延材料的掺杂分布,即每层浓度、厚度的精确控...
[期刊论文] 作者：王向武,陆春一,赵仲镛,孙景山,魏广富,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
报导了3 mm波段硅双漂移崩越二极管所需PN/N~+多层、亚微米外延材料的常规CVD生长技术,研究了实现这些高要求的多层结构的方法,得到了最佳的外延工艺条件。The conventiona...
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