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[学位论文] 作者：金海岩,
来源：北京大学 年份：2001
随着移动通讯,卫星通信,无线局域网以及高速计算机的广泛应用,超高速数字集成电路和微波集成电路越来越成为人们研究和开发的重点.该文介绍的研究工作是围绕如何提高硅双极器...
[期刊论文] 作者：金海岩,黄长河,
来源：半导体学报 年份：1997
二氧化钛用MOCVD方法生长于硅衬底上，膜厚在0．1～1μm之间．本文考察了温度对生长速率的影响，其中生长速率与衬底温度和有机源的温度都成指数关系，并通过作图求出钛源的活化能Ea＝1．05eV......
[期刊论文] 作者：金海岩,张利春,
来源：半导体学报 年份：2001
提出了锗硅材料带宽度随锗含量，温度及掺杂浓度变化的经验公式，改善了以往经验公式局限性较大的缺点，拓宽了公式的使用范围，分析并计算了不同温度，掺杂浓度以及不同材料的禁带变窄......
[期刊论文] 作者：金海岩, 张利春,,
来源：半导体学报 年份：2001
采用一种新的方法计算双极器件中离子注B硅基区和原位掺B的锗硅基区禁带变窄量。在器件基区的少子迁移率、多子迁移率和方块电阻已知的情况下，应用这种方法只需测量室温和液氮......
[期刊论文] 作者：金海岩,张利春,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2004
提出了锗硅材料禁带宽度随锗含量、温度及掺杂浓度变化的经验公式,改善了以往经验公式局限性较大的缺点,拓宽了公式的使用范围.分析并计算了不同温度、掺杂浓度以及不同材料...
[期刊论文] 作者：金海岩,张利春,高玉芝,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
为提高超高速双极晶体管的电流增益,降低大电流下基区扩展效应对器件的影响,将选择离子注入集电区技术(SIC)应用于双层多晶硅发射极晶体管中.扩展电阻的测试结果显示出注入的...
[会议论文] 作者：金海岩;张利春;高玉芝;,
来源：第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2001
为提高超高速双极晶体管的电流增益,降低大电流下基区扩展效应对器件的影响,我们将选择离子注入集电区技术(SIC)应用于双层多晶硅发射极晶体管中.电学特性测量结果表明,经过...
[会议论文] 作者：金海岩,张利春,高玉芝,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
在前人研究的基础上,本文提出了锗硅材料禁带宽度随含量x、温度T、及掺杂浓度N变化的经验公式,改善了以往经验公式局限性较大的缺点.分析并计算了不同温度、掺杂浓度以及不同...
[期刊论文] 作者：张慧,张利春,高玉芝,金海岩,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2005
采用15 nm Ni/1.5 nm Pt/15 nm Ni/Si结构在600～850 °C范围内经RTP退火的方法形成Ni(Pt)Si薄膜,其薄膜电阻低且均匀一致.比形成较低电阻率的NiSi薄膜的温度提高了150 ...
[期刊论文] 作者：黄伟,张利春,高玉芝,金海岩,
来源：物理学报 年份：2004
报导了在镍薄膜中掺入少量Mo提高了镍硅化物的热稳定性.结果表明,经650-800℃快速热退火形成的Ni(Mo)Si硅化物薄膜电阻值较低,约为2.4(Ω/□).XRD分析表明薄膜中只存在NiSi相...
[会议论文] 作者：金海岩,张利春,高玉芝,叶红飞,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
本文采用一种异质结等效模型解释多晶硅RCA晶体管的高增益.将多晶硅与单晶硅之间的氧化硅等效为一宽禁带的介质层,由于势垒的作用限制了空穴由发射极单晶硅向发射极多晶硅的...
[期刊论文] 作者：姚红军,汪荣昌,戎瑞芬,徐飞,金海岩,
来源：半导体技术 年份：1997
金属氧化物（如ＺｒＯ２，ＴｉＯ２等）随氧分压不同而改变其电导率这一性质被广泛地用来制作氧敏传感器。传统的传感器大多是体材料或厚膜材料，工作时需加高温。文中描述的是ＴｉＯ２薄膜材料与Ｐｔ薄膜形成的肖......
[会议论文] 作者：金海岩,高玉芝,赵宝瑛,张利春,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
本文采用一种新的方法计算双极器件中原位掺B的SiGe锗硅基区禁带变窄量.这种方法利用V做自变量,在室温和液氮温度下测量器件的Gummel图,获得两条V～lnI直线,求解交点可以计算出基区的禁带变窄量ΔE.用这种方法测试的锗硅基区禁带变窄量的151meV,这个测量结果与文......
[期刊论文] 作者：黄伟,卢建政,张利春,高玉芝,金海岩,
来源：半导体学报 年份：2005
提出在Ni中掺入夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性.具有此结构的薄膜,600～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□.经XRD和Raman光谱分析表明,薄膜中只存在低阻NiSi...
[期刊论文] 作者：金海岩,高玉芝,冯国进,莫邦燹,张利春,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2001
给出了E-B之间复合介质L型侧墙的形成技术。这种工艺技术控制容易，成品率高，均匀性好。已将这种工艺技术应用于双层多晶硅双极晶体管的制作工艺中，器件具有良好的电学特性...
[会议论文] 作者：张慧,张利春,高玉芝,金海岩,宁宝俊,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
采用15nmNi/1.5nmPt/15nmNi/Si结构在600~800℃范围内经RTP退火的方法形成低电阻的Ni(Pt)Si薄膜,比NiSi薄膜的温度窗口提高了150℃.在肖特基二极管中引入深槽结构,可以大幅度...
[会议论文] 作者：卢建政,张利春,高玉芝,叶红飞,金海岩,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
本文对各种参数的深槽结构肖特基势垒二极管的反向I-V特性进行了计算机模拟,得出了优化的深槽结构.模拟结果显示,深槽结构能够大大提高肖特基势垒二极管的击穿电压,减小漏电...
[期刊论文] 作者：黄伟,张利春,高玉芝,金海岩,卢建政,张慧,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2005
对比研究了夹层结构Ni/Pt/Ni分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性.实验结果表明,在600～800°C范围内,掺Pt的NiSi薄膜电阻率低且均匀...
[会议论文] 作者：金海岩,高玉芝,冯国进,王铁松,马连荣,张维,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
该文给出了Ｅ－Ｂ之间复合介质层Ｌ型侧墙的形成技术。这种工艺技术控制容易，成品率高，均匀性好。已将这种工艺技术应用于双层多晶硅双极晶体管的制作工艺中，器件具有良好的电学特性。......
[会议论文] 作者：岳雄伟,张利春,高玉芝,金海岩,张广勤,随小平,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
研究了金属Hf对NiSi薄膜热稳定性的影响。XRD图谱表明，在650-800℃范围二次退火仅存在NiSi相而无NiSi2相，说明Hf掺杂可以提高NiSi的结晶度，延缓NiSi2相的出现。AES表明，热退...
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