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[学位论文] 作者：陈兆铮,,
来源： 年份：2015
历史和现实的发展经验表明,综合交通通道的建设有利于吸引城镇、产业、人口不断沿轴线聚集分布,从而形成交通经济带。随着我国工业化、城镇化的不断推进,以及高速公路、铁路...
[期刊论文] 作者：陈兆铮,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
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[期刊论文] 作者：陈兆铮,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
光传输光缆据《于卜匕９。＞学会志》１９９４年第１１期报道，日本ＫＤＤ公司采用１００ｋｍ的光缆已成功地进行每秒１００Ｇｂ的大容量传输。在光纤线路中，同时传输５种不同波长的光信号（各１００Ｇｂ）。在所用的海底光缆中，由二组光纤线......
[期刊论文] 作者：陈兆铮,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
据日本《电子材料》1992年第11期报道,日本NEC公司采用拉晶法生长单晶时,在Si熔液对流中发现具有涡流结构的非轴对称流和没有涡流结构的轴对称流现象。这种现象的存在与否明...
[期刊论文] 作者：陈兆铮,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
据日本《O Plus E》1992年第156期报道,日本东京工业大学研制量子线激光器,已成功地在室温下产生波长1.5μm的连续光振荡。用电子束(EB)把多重量子阱结构的发光层,制成宽30nm...
[期刊论文] 作者：陈兆铮,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
５Ｖ１００Ａ超导晶体管据《于卜匕ｙ。＞学会志））１９９３年第６期报道，日本富士通公司已研制成达到实用的电流密度、电压特性的超导双极晶体管。该超导晶体管在钛酸锯的衬底上形成发射极、集电极为环形结......
[期刊论文] 作者：陈兆铮,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
低耗散功率ＨＢＴ据《学会志》１９９３年第６期报道，日本ＮＥＣ公司已开发成功耗仅为以前１／１０（０·５ｍｗ）的ＨＢＴ。ＨＢＴ具有比硅系更好的高速响应特性。但前者由于耗散功率大，高集成化很困难，只能达到１０００门规模的集成电路。为此......
[期刊论文] 作者：陈兆铮,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
２０Ｇｂｐｓ的光接收机ＩＣ芯片组件据《ＪＥＥ》１９９４年第３２８期报道，日本ＮＥＣ公司已制成用于光接收机的硅ＩＣ芯片组件，其工作速度已达２０ＧｂＰＳ。装有模拟电路放大器的这种芯片组件是该类型中的第一个。这一芯片组件作为大容......
[期刊论文] 作者：陈兆铮,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
２５６Ｍ ＤＲＡＭ单晶铝布线据《学会志》１９９２年第１２期报道，日本东芝公司已研制成在绝缘膜上形成单晶铝布线的技术。以前的多晶铝布线，在晶粒间界集中电流和应力，容易引起破断，可用于线宽０．３卜ｍ左右的ＬＳＩ。在......
[期刊论文] 作者：陈兆铮,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
据日本《O Plus E》1993年第160期报道,日本东芝公司已研制成把GaAs IC和光器件共同封装在一个管壳内的光纤通信用的半导体模块,型号有以2.5Gbit/s传输速度激励的发射模块“T...
[期刊论文] 作者：陈兆铮,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
据日本《日经工卜夕卜口二夕又》1993年第571期报道,日本富士通公司已开发开关电流为0.32mA,ECL延迟时间为21.5ps的硅双极技术,可应用于将来超级计算机和通用大型计算机的高...
[期刊论文] 作者：陈兆铮,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
据日本《电子材料》1992年第5期报道,日本三洋电机公司采用氧化物超导体,制作以超导体隧道效应为基础的晶体管,并在世界上首先成功地验证了其基本工作特性。超导晶体管在理论...
[期刊论文] 作者：陈兆铮,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
据《O Plus E》1992年第147期报道,光已用于超微细加工中,日本佳能公司为了大幅度提高半导体的制作精度而研制成新的曝光设备,在把电路图形制在硅片的光源上安置光滤波器,去...
[期刊论文] 作者：陈兆铮,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
据日本《O Plus E》1992年第149期报道,日本住友电气工业公司已制成用单一5 V电源工作、光通信用的光电集成电路。光接收器件的直径为50μm以上,并容易和光纤相连接,由于采用...
[期刊论文] 作者：陈兆铮,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
世界最高速１６ＭＳＲＡＭ据日本《电子材料》杂志１９９３年第４期报道，日本索尼公司已研制成世界最高存取速度９ｕｓ的１６ＭｂＳＲＡＭ。这种ＳＲＡＭ在电路内进行信号放大的读出放大器中，采用了输入阻抗小的反馈式电流读出放大器，并......
[期刊论文] 作者：陈兆铮,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
据《OPTRONICS》1992年第11期报道,日本日新电机公司已开发成新型研究用的MBE设备“MiniBEa”。MBE法在133.32×10~(11)Pa的超高真空中加热固体材料,把其分子淀积在衬底上而...
[期刊论文] 作者：陈兆铮,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
据日本《O Plus E》1992年第151期报道,日本大同氧(株)和东京大学先端科学技术研究中心共同研制成适于Si系薄膜生长组合式的VCE(真空化学外延)设备,系用原先GaAs,AlGaAs等化...
[期刊论文] 作者：陈兆铮,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
据日本《电子材料》1992年第11期报道,日本三洋电机公司在世界上率先开发新的杂质扩散技术,即在GaAs为主的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体上,在低温及短时间内重新形成n型和p型导电层。...
[期刊论文] 作者：陈兆铮,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
据日本《电子情报通信学会志》1992年第1期报道,日本东芝公司首先用高温超导体的叠层型结构证实了约瑟夫逊特性。所制成的结具有在SrTiO_3衬底上依次重叠高温超导体YBCO(YBa_...
[期刊论文] 作者：陈兆铮,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
据日本《O P1us E》1992年第148期报道。日本住友电气工业公司已制成世界上最大输出功率的半导体激光器。该器件是一种中继线路放大弱光信号的光放大器。把发光层制成应变A...
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