二维电子气迁移率相关论文
利用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长了高质量的GaNHEMT材料.1μm厚GaN外延层XRD(002)摇摆曲线半高宽573″,(102)摇摆曲线半高宽668......
在GaAs衬底上利用分子来外延技术生长了不同In组分的Metamorphic HEMT(简称MM—HEMT)。通过对MM—HEMT材料中台阶式缓冲层材料种类......
利用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长了高质量的GaN HEMT材料,1μm厚GaN外延层XRD(002)摇摆曲线半高宽573″,(102)摇摆曲线半高宽668″。通......
GaN基异质结构由于其自发极化和压电极化产生的沟道内二维电子气(2DEG)而得到了广泛的关注,以AlGaN/GaN异质结为基础的高电子迁移率......
高电子迁移率AlGaN/GaN HEMT结构材料的研制一直是GaN基射频微波器件的重要发展方向。采用自主研制的生产型高温MOCVD设备进行AlGa......