低噪声器件相关论文
SiGe HBT器件具有高频功率及噪声性能，本文基于先进的8英寸(200 mm)集成电路工艺生产线，通过Site HBT的工艺开发和器件设计，成功......
通信系统经常受到外异电磁脉冲的干扰和冲击。接收通道前端高频组件更易受到瞬时尖峰脉冲烧毁，尤其是GaAs徽波低噪声器件是其中最薄......
冷原子物理实验中,不论是在磁光阱、光学黏团阶段,还是装载到磁阱之后和蒸发冷却阶段,不管是测量磁光阱中囚禁原子数目还是空间密......
介绍了GaAs低噪声器件电磁脉冲效应实验响应的易损敏感端,对所确定的敏感端注入电磁脉冲方波,研究了器件在静态时的损伤阈值。根据......
综述了国内外半导体微波／毫米波低噪声器件及其电路、新型固体器件及其电路的发展现状与未来发展趋势，国内技术水平与国际水平相比的......
低频噪声测量技术的现状及最新进展ＴｈｅＣｕｒｒｅｎｔＳｉｔｕａｔｉｏｎａｎｄＲｅｃｅｎｔＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｎＬｏｗＦｒｅｑｕｅｎｃｙＮｏｉｓｅＭｅａｓｕｒｅｍｅｎｔＴｅｃｈｎｉｑｕｅ￥ＤａｉＹｉｓｏｎｇ（ＪｉｌｉｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃ.........
通常Y因子法噪声系数测量使用的标准噪声温度T0为290K,且噪声源校准时的冷温度也是290K。但是当噪声源的冷温度不等于标准噪声温度......
本文阐述了测量微弱信号时,低噪声前置放大器的设计理论要求,以及分析了噪声对前置放大器的设计影响。最后还讨论了克服外部噪声对......
