采用侧墙工艺技术研制深亚微米ｘ射线掩模，并在北京同步辐射装置光刻束线上进行了同步辐射ｘ射线曝光实验，初步获得了深亚微米光刻图形 ......

本论文对硕士期间从事的理论研究和实践工作进行了总结。首先对目前较有前途的NEMS加工工艺进行了研究和分类，分别介绍了极紫外射线......

采用侧墙工艺技术研制深亚微米Ｘ射线掩模，并在北京同步辐射装置光刻束线上进行了同步辐射Ｘ射线曝光实验，初步获得了深亚微米光刻图形。......

本文对氮化硅侧墙、LPCVD SiO_2侧墙及3层结构多晶硅侧墙工艺进行了研究,并讨论了这些侧墙工艺在集成电路中的应用。......

本文对 L=0.55μm LDD MOSFET’s的杂质分布及侧墙工艺进行了研究,提出了亚微米 LDD MOSFET’s集成电路的优化工艺设计. In this ......