多晶硅栅相关论文
本文借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了４５ｋｅＶ，１×１０１４、２×１０１５和５×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入单晶硅和８０ｋｅＶ、２×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在快速退火条件下，Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的分布剖面，并对Ｆ在单晶硅......
本文主要对晶圆制造生产线上,多晶硅栅刻蚀工艺在工作中所碰到的刻蚀残留所造成的良率低下和线上缺陷检测异常的案列,进行深入的分......
随着晶体管尺寸的缩小,传统的多晶硅栅存在的多晶硅耗尽效应,过高的栅电阻和PMOS管的硼穿通效应成为晶体管尺寸进一步缩小的障碍.......
DDPG MOSFET作为一种新型的MOS器件，它具有提高驱动电流，提高器件的跨导和截止频率等优点。但是经过研究发现该器件仍然存在许多缺陷......
采用三层胶光刻工艺以及ＳＦ６＋Ａｒ为反应气体的反应离子刻蚀工作，实现了小于０．５０μｍ的图形转移，并将此微细加工工艺应用于０．５０μｍＣＭＯＳ集成电路的制做。......
本文对 L=0.55μm LDD MOSFET’s的杂质分布及侧墙工艺进行了研究,提出了亚微米 LDD MOSFET’s集成电路的优化工艺设计.
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半导体表面二氧化硅层中的可动离子对半导体器件,特别是MOS器件的可靠性和稳定性有着极其重要的影响。长期来,人们为了提高半导体......
在离子注入埋层的硅片上,以SiO2层为掩膜和隔离,生长了选择性外延（SEG）单晶硅层,并在此外延层上制作了P+掺杂的多晶硅栅PMOSFET。浅......
本文借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了４５ｋｅＶ，１×１０１４、２×１０１５和５×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入单晶硅和８０ｋｅＶ、２×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在快速退火条件下，Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的分布剖面，并对Ｆ在单晶硅......
为了研究多晶硅栅对内嵌可控硅（SCR）的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS-SCR）器件静电放电（ESD）防护性能的影响,基于0.35μm Bipolar-CMOS......
<正> 我们七七一所四车间光刻QC小组,先后经过12年的QC活动,发表QC成果111项,攻克了IC制造中一个个质量和技术难关,为我国国防科研......
