分压环相关论文
提高平面型晶体管击穿电压的方法主要有场极板、电场限制环、耗尽区腐蚀和离子注入等.几年来,我们在如何实现平面结构晶体管的高耐......
一、引言1961年5月3日到5月14日在上海召开了有关电子静电加速器的技术经验交流及定型设计会议。参加会议的有上海、北京、天津、......
本文用解析方法系统地计算了静电加速器中各区域的电场,得到了高压电极上部电场的均匀化条件。计算表明,为了降低分压环的电场,迭......
本文介绍了300千伏中子发生器的加速管,该中子发生器能产生3×10~(11)中子/秒的中子产额。
This article describes the accelera......
在弹性反冲探测(ERD)技术分析材料成分时,利用Q3D磁谱仪大色散、大立体角以及运动学修正等特点,可以获得很高的深度分辨。由于Q3D......
３ＤＫ４０５型高频高速反压ＮＰＮ开关功率晶体管研制成功，集电极最大耗散功率ＰＣＭ≥２００Ｗ，集电极最大电流ＩＣＭ≥３０Ａ，双结反向击穿电压ＢＶｃｅｏ≥４５０Ｖ，特征频率ｆＴ≥８０ＭＨＺ，下降时间ｔｆ≤０．１ｕｓ，居国内领先......
<正> 三、对辅助部分的几点小改进 1.载波通道 (1) 阻容分压环节运输机载波集中控制大都采用动力电缆作为载波通道,载波发射机的输......
该文从国内生产线的实际出发，简单介绍了目前国内主流功率VDMOS器件生产厂家所采用的平面高压VDMOS工艺平台，初步总结了当前各种成熟......
本文论述了VDMOS器件的一种场板-分压环结合的终端结构。对1.5A/500V功率器件进行了分析和设计,并给出了终端电场分布的模拟结果。......
