空间电荷区相关论文
硅基微通道板（MCP）的重要技术挑战之一就是如何在硅基上制作高深宽比的微孔阵列结构。采用光助电化学刻蚀方法研究硅基高深宽比微孔......
本文研究了直流多靶溅射Pt_5Si_2—Ti—Pt—Au多层金属化系统的溅射条件并讨论了梁式引线和肖特基势垒二极管的生成机理。
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本文将介绍制备厚度可控的SOI/SDB材料的新方法,重点讨论电化学腐蚀Pn结自停止效应的机理。
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对现代的双极型晶体管而言,载流子在基极和集电极的空间电荷区(CB SCR)传输延迟可比基极渡越时间,甚至要大于后者。为了更精确地表......
期刊
根据静电场作用下碗豆幼苗膜透性的试验结果,应用分子力学方法研究了离子跨膜输运能量.将植物细胞膜内部模拟为两个介电常数不同的......
本文用特征函数将因氧化层和空间电荷区衔接条件得到的恒等式作正交展开，把未知量求解转化成一组线性代数方程，得到了二维电势解析表......
本研究采用金属-绝缘体-半导体的平板结构在（111）切向的近本征硅单晶的空间电荷区内观测到了线性电光效应。实验结果表明：硅单晶的线......
<正>2014年,中国科学院物理所孟庆波小组也制备了无空穴传输层的钙钛矿电池（TiO2/CH3NH3PbI-3/Au）,但对界面进行了调控处理,获得10.4......
在研究SiC MOS表面空间电荷区杂质不完全离化的过程中引入了Frenkel-Pool效应,并建立了在电场作用下SiC杂质离化的新模型.基于对一......
Zylbersztejn指出在空间电荷区边界层中,由于势垒的存在而引起的载流子分布的不均匀性,对测量深中心对载流子的俘获截面的不良影响......
该文从国内生产线的实际出发，简单介绍了目前国内主流功率VDMOS器件生产厂家所采用的平面高压VDMOS工艺平台，初步总结了当前各种成熟......
该文采用多晶硅太阳电池模型,通过引入空间电荷区复合速度来研究空间电荷区复合对少子寿命的影响,从计算结果中发现当复合速率大于......
<正> 引言在放射性现象和核反应堆中,常出现各种高能粒子,例如:α粒子,β粒子,质子,中子,γ射线。检测这些粒子对放射性现象及核反......
针对亚阈区导电问题,基于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件结构,由半导体表面空间电荷区的不同物理状态出发,分析了能带......
静电感应晶闸管(SITH)是一种大功率开关器件。与其他种类的功率开关器件相比,具有开关速度快,易于实现栅控关断等优点。但在实际应......
<正>1 p-n结如图1(a)所示,使一块n型半导体和一块p型半导体紧密地接触。交界处n区一侧的电子浓度高,形成一个要向p区扩散的正电荷......
用深能级瞬态光谱和光致发光（ＰＬ）方法研究了ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）发射区ＡｌＧａＩｎＰ中的深能级．得到了两个深能级，分别为Ｅｃ－Ｅｔ１＝０４２ｅＶ和Ｅｃ－Ｅｔ２＝０５９ｅＶ，其复合截面为σｎ１＝６２７×１０－１７ｃｍ２和σｎ２＝６......
