外加偏压相关论文
在近年来,人们在工业生产的等离子体辅助工艺中,在极板上外加偏压得到了广泛地应用。以此可以获取更高的离子轰击能量,并且可以用......
在近年来，人们在工业生产的等离子体辅助工艺中，在极板上外加偏压得到了广泛地应用。以此可以获取更高的离子轰击能量，并且可以用此方......
采用直流离子束溅射法,在n型单晶硅衬底上淀积Si1-xGex薄膜。俄歇电子谱(AES)测得Si1-xGex薄膜的Ge含量约为0.15。对薄膜进行高温......
报道用SiF4 和H2 的间接微波等离子体化学气相沉积方法低温生长多晶硅 (poly Si)薄膜 .实验发现 ,等离子体中的离子、荷电集团对薄......
以有机和钙钛矿为代表的新型太阳能电池,凭借其轻质,便携,柔性以及便于卷对卷大面积生产等优势,逐渐成为国际上的研究热点。近年来......
本文应用Ａｉｒｙ函数和散射矩阵方法研究了外加偏压对三元准周期超晶高能态电子隧穿性质的影响。......
对一般情况下肖特基接触的机理和肖特基势垒高度的影响因素做了系统分析,研究了肖特基接触特性的不均匀性及其原因,指出多晶界面势......
TiO2光催化纳米半导体是近几十年开发出来的新型功能材料之一,以其廉价、无毒、光化学性能活泼、抗光腐蚀性能强等优势,成为理想光......
本文在有效质量近似下,选取双量子阱异质结构GaAs/Al0.3Ga0.7As作为电子隧穿输运的结构,利用投影格林函数方法(PGF)和递归法,研究......
