富硅氧化硅相关论文
体硅由于是间接禁带半导体，因而其发光性能很差。但是当硅晶体的尺寸降为纳米尺寸时，带来了新的光学特性。自从在硅纳米晶镶嵌二氧化......
随着集成电路的不断发展，传统金属互连的信号延迟、器件过热等问题限制了器件性能的进一步提升。光互连被认为是一种有效的解决途径......
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)及高温退火工艺制备了富硅氧化硅(SRSO)薄膜材料。喇曼光谱仪探测表明,该材料具有较高的光致......
在 n+ -Si衬底上用磁控溅射淀积掺 Er氧化硅 (Si O2 :Er)薄膜和掺 Er富硅氧化硅 (Six O2 :Er,x>1 )薄膜 ,薄膜经适当温度退火后 ,......
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备含有纳米晶硅的SiO2(NCSO)和含有非晶纳米硅颗粒的氢化非晶氧化硅(a-SiOx:H)薄膜.采......
采用micro Raman散射、傅里叶变换红外吸收谱和光致发光谱研究了快速热退火及氢等离子体处理对等离子体增强化学气相沉积法 2 0 0......
利用Al/SRO/Si MOS,对富硅二氧化硅(SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究.用LPCVD法在n型Si衬底上沉积SRO材料,通过......
研究了离子注入掺铒富硅氧化硅材料的光致发光和发光强度随退火温度的变化.在实验中发现,材料在1.54 μm处的发光波形与发光强度均......
利用Al／SRO／SiMOS。对富硅二氧化硅(SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究。用LPCVD法在n型Si衬底上沉积SRO材料，通过C......
利用离子注入方法制备了掺Er富硅氧化硅材料,用XRD,TEM方法研究材料微观结构,并测量了样品的光致发光(PL),研究了发光强度随测量温......
利用射频磁控溅射法通过调节硅（Si）靶的溅射功率制备了不同的富硅氧化硅（SiOx,1〈x〈2）薄膜。通过高温热处理,得到了镶嵌在SiOx薄膜中......
以Ar和H2为溅射气体,采用Si和SiO2双靶活性溅射技术实现了镶嵌纳米晶硅(nc-Si)的富硅氧化硅(SiOx)薄膜的300℃低温生长,并分析了氢......
Er3+在石英基体材料中受激光致发光的波长大约是1540nm,这个波长是石英光纤的最小损耗窗口,因而是以石英光纤为基础的光通讯的标准......
学位
随着全光网络和光子集成技术的发展，掺铒光波导放大器（EDWA：Er Doped Waveguide Amplifier）作为较新的研究领域，正在受到越来越多科研工......
