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在单晶硅衬底上淀积掺硼(或磷)的μC—Si:H 薄膜可制成 C—Si/GDμC—Si:H 异质结。掺杂μC—Si:H 薄膜是由辉光放电制备,它的电导......
目前对MgZnO/ZnO和AlGaN/GaN异质结的研究较多,本文通过理论计算,对比了MgZnO/C-aN、MgznO/ZnO和AlGaN/CraN异质结界面的2DEG浓度,......
随着社会的高速发展，信息科技对高性能器件的迫切需求直接推动着相关材料的发展。氮化铝是Ⅲ-Ⅴ族中具有较宽直接带隙(禁带宽度6.2e......
宽带隙(WBG)半导体材料ZnO具有禁带宽、激子能量大、高化学稳定性和热稳定性等特点，使得目前高质量ZnO材料和器件的制备成为国际上......
立方氮化硼(cBN)是一种超硬宽带隙材料,不仅具有仅次于金刚石的硬度、在高温下有强的抗氧化能力、不易与铁族金属反应,因此可用于......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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