成核层相关论文
为了研究用MOCVD在蓝宝石衬底上制备的AlGaN/GaN异质结的性能,分别在成核温度为580℃和600℃的非故意掺杂GaN模板上制备了Al0.30Ga......
不同的成核材料对金属Ag薄膜生长具有不同的细化作用,材料晶格常数差异会导致不同薄膜材料在生长过程中产生不同的表面弛豫现象,导......
采用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了N极性GaN薄膜。通过KOH腐蚀的方法判定了GaN外延薄膜的极性。通过X射线双晶衍射(XRD)摇......
利用金属有机化学气相沉积系统（MOCVD）,在蓝宝石的（0001）面采用不同的成核层生长温度,通过两步法获得不同质量的Ga N外延薄膜。利用HAL......
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氢气气氛下MOCVD异质外延是目前工业界广泛使用的外延生长GaN基半导体的方法。研究表明,在GaN薄膜外延生长过程中,成核层的质量对......
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作为第三代半导体材料的代表,GaN具有稳定的化学性质,宽禁带以及高的热导率、载流子浓度、饱和电子迁移速率等优点,被广泛应用于照......
通过研究蓝宝石衬底上HVPE-GaN的表面形貌,指导HVPE-GaN工艺。工艺是在自制的立式HVPE设备上进行的,通过显微镜观察了各种不同工艺......
Ⅲ-Ⅴ族化合物被誉为是第三代半导体材料,其中由于氮化物具有宽的禁带宽度、高电子迁移率、发光效率高以及频率高等特点,被广泛的......
高质量AlN薄膜对制造高性能深紫外器件非常重要,但是目前还很难使用大型工业MOCVD生长出高质量的AlN薄膜。采用磁控溅射制备了不同......
目前LED产品已经形成了成熟且稳定的产业,新兴的紫外LED的市场也随之发展迅速,使得越来越多的技术人员开始开发研究。本文通过对成......
AlGaN材料在光电子和微电子领域都有着重要地位，可被用于紫外发光二极管、紫外激光二极管、紫外探测器和高迁移率晶体管（HEMT）等器件......
在平片蓝宝石衬底上,通过引入AlN缓冲层,优化成核层与粗糙层的生长条件,生长出了表面平整的GaN薄膜,晶体质量得到显著提升。通过引......
本文主要介绍了GaN基蓝光LED具体生长方法,介绍各参数对产品性能的影响,并介绍了一些提高产品性能的手段：(1)、首先介绍了GaN的基本......
AlGaN/GaN HEMT器件的微波大功率特性自1993年以来已取得巨大的进步,但是仍然存在许多制约因素限制了其性能的提升和应用的发展。......
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