N-polar GaN以其特有的材料特性和化学活性日益受到研究者关注,而N-polar GaN上欧姆接触也成为研究的热点。以Ti/Al/Ni/Au作为欧姆......

建立了氮极性（N-polar）GaN基HEMT器件的准二维（Quasi-2-D）电荷传输模型，仿真研究了N-polar GaN基HEMT的直流特性。仿真结果表明，不同的极......

采用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了N极性GaN薄膜。通过KOH腐蚀的方法判定了GaN外延薄膜的极性。通过X射线双晶衍射(XRD)摇......