拖尾电流相关论文
德国西门康（ＳＥＭＩＫＲＯＮ）公司生产的ＳＫＭ系列ＩＧＢＴ功率模块，不必使用ＲＣＤ吸收电路，并联时能自动均流，开关损耗不随温度正比增加，ＳＯＡ曲线为矩形，并具有不必负压关断、短......
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)凭借其高栅极输入阻抗、低导通电阻等优点,迅速的发展成为功率半导体器件的典型代表,广泛地应用于家用电......
目前智能站建设中经常存在常规互感器和合并单元方式,这种方式下有可能存在检修死区或是开关失灵时的死区.那么解决此问题的方法之......
电流互感器(CT)拖尾是一种常见的电气现象，但鲜有资料专门探讨它的特征及其对继电保护设备的影响。本文基于理论分析和实际系统......
绝缘栅双极型晶体管IGBT是一种MOSFET与双极晶体管复合的器件。它既有功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点,又有功率......
为改善单相全桥逆变器的效率,提出了一种新型高效率单相全桥零电流开关谐振极逆变器拓扑结构.在桥臂上的辅助谐振电路参与换流的过......
为使三相桥式整流器实现节能运行,提出了一种节能型三相桥式零电流开关整流器拓扑结构,在各相桥臂上的辅助谐振电路处于工作状态时......
V系列6．00V沟栅式场截止型（trench—gatefield—stop）IGBT具有平顺、无拖尾电流的关机特性，饱和电压低达1．8V，最大工作结温高达175℃，这些......
提出一种新型零电流开关PWMBuck电路，对其拓扑结构和工作原理进行了详细分析，仿真结果证明该电路中所有的开关管和二极管均能在软开......
基于场终止型IGBT的结构特点与工作机理，提出了一种通过提取IGBT拖尾电流计算基区掺杂浓度新方法，该方法针对已有商用器件只需测试端......
本文系统的阐述了ＧＴＯ拖尾电流的产生机理，组成，性质及特点，给出了ＧＴＯ在拖尾阶段的等效电路。在实验印证的基础上，作者首次逐段分析了关断过程......
为改善以绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)作为开关器件的单相全桥逆变器的效率,提出了一种节能型单......
随着对电网供电可靠性要求的不断提高，备自投装置广泛应用于不同电压等级的电力网络中，因此，设备故障情况下，备自投装置能否按逻辑正确......
因为IGBT并联电容后会使关断时的CE端电压上升率减少,一些电路拓扑常使用CE端并联电容来减小IGBT关断损耗。但由于关断拖尾电流时......
开关磁阻电机(Switched Reluctance Motor,SRM)因其结构简单,启动转矩大,运行可靠且成本低等优点被应用到了诸多领域,在很多性能上......
2013年12月13日意法半导体公司（ST）推出一种先进的V系列600V沟栅式场截止型（trench—gatefield—stop）IGBT．它具有平顺、无拖尾电流的关......
SiC(碳化硅)作为第三代半导体,以耐高压、高温和高频,在高性能功率半导体上显出优势。据SiC厂商罗姆基于IHS的调查显示,2025年整个......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
本文主要叙述大型电子管板栅特性曲线拖尾对工作点的影响,以及如何正确应用曲线选择静态工作点和调试方法.......
当断路器跳开后,电流互感器(CT)二次侧产生的拖尾电流延长了失灵电流元件的返回时间,有可能造成断路器失灵保护误动作。目前工程上......
随着特高压直流工程快速发展,受端交流系统故障切除时间过长会导致多回特高压直流同时连续换相失败,产生的大幅功率冲击存在导致送......
为了探讨电流互感器(current transformer,CT)拖尾电流的特征及其对继电保护设备的影响,基于理论分析和实际系统中CT电流拖尾的波......
电流互感器(CT)拖尾是一种常见的电气现象,目前很少有资料对其进行专门研究。本文详细分析了拖尾电流的成因、特征及其对断路器失......
功率半导体器件由于其优越的电能转化能力,被广泛运用于各个领域。IGBT是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品,同时具有MOSF......
电流互感器(CT)拖尾是一种常见的电气现象,但目前鲜有资料专门探讨它的特征及其对继电保护设备的影响。基于理论分析和实际系统中C......
至今半导体产业发展历经了三个阶段,分别是20世纪50年代诞生的以硅(Si)为代表的第一代半导体材料,及以80年代诞生的砷化镓(GaAs)为......
