关断损耗相关论文
提出了一种新型无电压折回现象的超结逆导型绝缘栅双极型晶体管（RC-IGBT），并基于Sentaurus TCAD进行了电学特性仿真。提出的超结RC-IG......
碳化硅（Si C）宽禁带半导体材料是目前电力电子领域发展最快的半导体材料之一。绝缘栅双极晶体管（IGBT）是全控型的复合器件，具有工作频率......
绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）凭借其高输入阻抗、低导通压降、低驱动功率等优势,广泛应用于轨道交......
随着电力电子技术的发展,人们要求不断提高电能的转换效率。绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）作为半导......
随着电力电子技术飞速发展,大功率直流变换技术越发起着至关重要的作用。全桥变换器具有拓扑结构简单、控制简单、高效率的优点,广......
介绍了5.2kV高压绝缘栅双极型晶体管(HV IGBTs)的成功串联应用。穿通型HV IGBT串联应用时要完全控制感应过电压,最大的障碍是拖尾......
介绍了5.2kV高压绝缘栅双极型晶体管(HVIGBTs)的成功串联应用。穿通型HVIGBT串联应用时要完全控制感应过电压,最大的障碍是拖尾电......
本文主要阐述了MOSFET在模块电源中的应用,分析了MOSFET损耗特点,提出了优化方法;并且阐述了优化方法与EMI之间的关系。
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发射极载流子增强技术作为绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件所特有的技术手段,是进一步改善IGBT导通饱和压降和关断损耗折中性能的关......
介绍了一种利用高介电常数薄膜改进的、制作于绝缘衬底上的横向绝缘栅双极型晶体管(SOI-LIGBT).一方面,覆盖在硅表面的高介电常数......
电力电子技术就是对电能进行变换和控制的技术,广泛应用于电力系统、电气传统装置及各种电源设备中。电力电子变换的本质就是利用......
分析了影响电力静电感应晶闸管阻断电压BVAK的因素,提出了提高BVAK的方法,并构造了几种阳极结构.在实验了3种结构的基础上,给出一......
分析了单声光器件、超声场相互平行和正交两声光Q开关器件衍射损耗 ,根据声光互作用理论 ,给出拉曼 奈斯衍射的超声场相互正交和......
提出一种由二极管、箝位电容、单管直流变换器及其控制电路构成的低损耗馈能式箝位电路。根据箝位电容电压幅值来控制单管直流变换......
介绍了一种具有新型耐压层结构的IGBT--低功耗IGBT.新结构用三重扩散的方法在n-单晶片上引入了n+缓冲层.保留了NPT-IGBT中薄而轻掺......
随着电力电子器件的发展,开关电源朝着小型化、轻量化和高效率方向发展,致使开关器件大部分都工作在高频开关状态。功率器件在开通......
根据声光互作用理论,给出拉曼-奈斯衍射的超声场相互正交和平行的两声光Q开关器件衍射损耗的表达式,分析了单声光器件、超声场相互......
研究移相控制全桥零电压开关脉宽调制变换器(FB-ZVS-PWM)的换流过程.针对其滞后桥臂负载电感偏小给零电压导通造成困难的特点,文中......
功率双极晶体管的损耗是开关电源总损耗中的最多的器件之一,采用10 M eV电子辐照来降低功率双极晶体管的下降延时,以此来降低功率......
传统的Boost ZVT PWM变换器的主开关管实现了软开关，但是辅助开关管是在硬开关下关断。因此，变换器的效率低。提出了一种新型的Boost......
传统沟槽型4H-SiC IGBT中关断损耗较大,导通压降和关断损耗难以折中。针对此问题,文中提出了发射极区域含有低寿命区,同时集电区引......
首次指出了超结IGBT这一新型功率半导体器件独特的导通机理并对其作了详细分析。通过TMA—MEDICI仿真验证，超结IGBT耐压能力和正向......
因为IGBT并联电容后会使关断时的CE端电压上升率减少,一些电路拓扑常使用CE端并联电容来减小IGBT关断损耗。但由于关断拖尾电流时......
作为电力电子技术的核心,功率半导体器件在电能的控制、变换和调节中有着至关重要的作用。横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral Insula......
碳化硅绝缘栅双极晶体管(SiC IGBT)不仅具有SiC材料临界击穿场强大、击穿电压高、工作频率快等优点,而且还具备了IGBT器件易驱动、......
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)作为当下电子电路应用的核心器件,被广泛应用于汽车、铁路、家电、......
LLC谐振型软开关变换器在轻载时的效率很低,这是由传统的调频控制方式决定的:轻载时为了稳定输出电压会增加工作频率,进而使变换器......
传统的逆变器驱动电路中,驱动电流是按开关管最大关断电流下的最高电压尖峰来设计且是固定的,但在最大关断电流以下的工作状态,关......
绝缘栅双极晶体管(IGBT)的内部载流子控制方法对器件的导通状态电压降、关断损耗、SOA、热可靠性和瞬态稳定性等器件性能至关重要......
逆导型横向绝缘栅双极晶体管(RC-LIGBT)由于高电流密度、小封装成本等优点,成为了功率器件领域内主流器件之一,然而其会受到电压折......
RDC（resistance diode capacitance）电路参数往往是通过经验加实验选取的，限制了其使用范围。为此，基于高速工业平缝机的电磁阀控制，对......
横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor,简称LIGBT)具有导通电压低、输入阻抗高、电流能力强、耐压......
针对不同集电极电流及开关频率下的开关过程设计并搭建了IGBT电气参数测试系统。试验测录了IGBT模块在开关过程中的电压、电流波形......
IGBT是一种电压控制的双极型器件,因其具有控制简单、通态压降低、导通电流大、损耗小等优点成为了电力电子器件领域应用最广泛的......
现今社会电能的主要来源依旧是不可再生资源,电力电子技术作为一种旨在提高电能传输和利用效率的技术,可以有效的减少资源消耗。绝......
碳化硅(SiC)是一种具有宽的禁带、高击穿电压、高热导率、高电子饱和速率以及高抗辐照的半导体材料,近年来由于它的优良特性而受到......
SiC作为一种宽禁带半导体材料,其禁带宽度大、临界击穿电场高、饱和漂移速度高、热导率高、内部Si-C键能大、抗环境腐蚀能力强、抗......
提出了一种新结构的 IGBT,取名为低功耗 IGBT(L PL- IGBT) ,它具有离子注入形成的超薄且轻掺杂的背P型发射区 ,从而具有 NPT- IGBT......
开关管关断损耗是三电平LLC谐振变换器高频工况下的主要损耗,是一个与谐振电感Lr、谐振电容Cr、励磁电感Lm以及电压增益Gv密切关联......
基于现有仿真及工艺平台,设计一款3 300V/50A场截止型绝缘栅双极晶体管器件(FS-IGBT),元胞采用场截止型平面栅结构,元胞注入采用自......
期刊
传统的Boost ZVT PWM变换器的主开关管实现了软开关,但是辅助开关管是在硬开关下关断.因此,变换器的效率低.提出了一种新型的Boost......
期刊
传统的Boost ZVT PWM变换器的主开关管实现了软开关，但是辅助开关管是在硬开关下关断。因此，变换器的效率低。提出了一种新型的Boost......
MOSFET作为主要的开关功率器件之一,被大量应用于模块电源中。了解MOSFET的损耗组成并对其分析,有利于优化MOSFET损耗,提高模块电......
