无位错相关论文
采用元素粉末法通过冷等静压、真空烧结、热锻、冷锻等方法制备了Ti-36Nb-2Ta-3Zr-0.35O(质量分数,%)(TNTZO)合金。运用透射电子显......
针对大直径石墨热场进行8英寸单晶硅棒生长工艺进行了研究和探讨,分析了单晶炉内热对流、温度、工艺参数对于单晶生长的影响,对一......
本文采用不同热处理温度(700～1 000℃)引入不同浓度的铁杂质，观察了引铁温度对p型单晶硅(无位错和有位错)有效寿命的影响，并比较了磷......
本文主要介绍了Φ6″区熔硅单晶无位错、无旋涡缺陷的生长工艺及热系统的设计,并对大直径区熔单晶生长过程的几个关键性问题进行了......
缀饰位错的石英晶体经腐蚀后在位错与晶体表面的交错处会出现腐蚀坑和腐蚀隧道，从而降低了压电石英元器件的电性能和机械性能。选择......
首次报道了低组分（Ｉｎ￣０．３）的２０周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子点超晶格的生长，用透射电镜（ＴＥＭ）直接观察到清晰的无位错的量子点超晶格的结构，量子点的平均尺寸大小：直径３０ｎｍ和......
该文采用了低压MOCVD原位知组织生长的方法在有V形槽的衬底上外延生长获得了AlGaaAs/InGaAs/InGaAs/AlGaAs半导体纳米管结构，纳米管......
从4英寸无位错锗单晶的生长温度梯度条件出发,设计开发了直拉法生长4英寸无位错锗单晶的双加热器热场系统;并对其热场进行了一系列......
大直径的单晶硅生长需要更多的时间和资源,提高单晶成晶率非常重要,石英坩埚是影响单晶产量和质量的主要因素。研究了两种不同内涂......
采用元素粉末法通过冷等静压、真空烧结、热锻、冷锻等方法制备了Ti-36Nb-2Ta-3Zr-0.35O（质量分数,%）（TNTZO）合金。运用透射电子显微镜......
对国产设备试制及生产Φ〉７６．２ｍｍ无位错ＦＺ硅单晶的两种最为稳定的工艺热场作了较全面的分析总结。......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
在全自动拉晶条件下，讨论了拉制Φ２００ｍｍ硅单晶遇到的新问题。热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚泊选用等有了更严格的要求。合理的轴向......
