针对大直径石墨热场进行8英寸单晶硅棒生长工艺进行了研究和探讨,分析了单晶炉内热对流、温度、工艺参数对于单晶生长的影响,对一......

本文采用不同热处理温度(700～1 000℃)引入不同浓度的铁杂质，观察了引铁温度对p型单晶硅(无位错和有位错)有效寿命的影响，并比较了磷......

大直径的单晶硅生长需要更多的时间和资源,提高单晶成晶率非常重要,石英坩埚是影响单晶产量和质量的主要因素。研究了两种不同内涂......

采用元素粉末法通过冷等静压、真空烧结、热锻、冷锻等方法制备了Ti-36Nb-2Ta-3Zr-0.35O（质量分数,%）（TNTZO）合金。运用透射电子显微镜......

对国产设备试制及生产Φ〉７６．２ｍｍ无位错ＦＺ硅单晶的两种最为稳定的工艺热场作了较全面的分析总结。......

ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......