结深相关论文
用含Ｚｎ的固态杂质源，在化合物半导体ＧａＡｓ基片上进行了连续波（ＣＷ）１０．６μｍ激光诱导扩散，做出了Ｐ－Ｎ结。分别利用扫描电子显微镜和二次离子质谱仪对扩散样品......
本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导......
我是一个热爱生活的人。 凡是我不知晓的,我都希望知晓;凡是我不会做的,我都希望去尝试。我在培养自己的疯癫,因为我觉得企业家......
双结深光电二极管包括一深一浅两个光电二极管,深、浅pn结光电二极管的光电流比值I_2/I_1随入射光波长单调增加。文章基于0.5μm C......
有关片状磷源扩散性能,以及在器件扩散工艺中应用情况,国内外已有不少文章报导。虽然这种扩散源工艺上还存在不足之处,但已被公认......
本文叙述了合成溶质(固体红磷)扩散法生长磷化镉(CdP_2)。经X射线分析证明,合成的化合物为CdP_2。用它作扩散源,在杂质浓度为8×10......
本文介绍用元素磷和锌在闭管真空石英管中合成ZnP_2晶体的过程。X—射线检验证实一种是红色四方晶形ZnP_2,另一种是黑色单斜晶形Zn......
在半导体器件工艺中,多数情况是在硅衬底中掺 p 型或者 n 型杂质形成 pn 结。而最基本的 pn 结形成方法,一般采用杂质的热扩散法......
本文研究了硅中离子注入层的红外瞬态退火.对于注As~+和注B~+样品的测试表明,红外瞬态退火具有电激活率高、缺陷消除彻底和注入杂......
本文报导了锑乳胶源埋层扩散的实验结果,讨论了影响扩散质量的若干因素,并与箱法锑扩进行了比较.实验获得埋层薄层电阻为20Ω/□,......
本文研究了SiO_2掩蔽膜硼离子注入硅的卤钨灯辐照快速退火,测量了注入层表面薄层电阻与退火温度及退火时间的关系,得到了最佳的退......
本文用EBIC法对SBD元件进行了观测。在加速电压1—2.5kV、束流约3×10~(-12)A的条件下,对SBD元件的结深进行了非破坏性测量,其值约......
用腐蚀剥层并结合阳极氧化染色和磨角阳极氧化染色两种方法测试了半开管扩散InSb器件p-n结的结深.两种测试方法结果基本一致。通过......
从古到今，“输不起”情结深植于中国文化基因中，纠结在诸多领导者的脑子里。因为输不起，所以无法接受批评、拒听反对意见、打压异己、......
文中对压力传感器中用扩散法和离子注入法制作的电阻的温度系数进行了研究。实验结果表明，同扩散法制备的电阻相比，采用离子注入法制......
乔大壮,四川华阳(今双流县)人,生于1892年(清光绪十八年)。他早年在北京担任市图书馆管理员时,就与后来成为大文豪的鲁迅结交,情趣......
在半导体芯片制造过程中,结深是重要的工艺参数之一.本文介绍用光波干涉法测量结深,操作简便,精度高,特别对10μm以下的结深测量,......
速水优在国际财金界以“头脑清楚”著称,但却“生不逢时”。
Speed water excellent in the international financial commun......
深色带给人的感觉往往是深沉、有内涵、权威、雅致以及有力.应用深底色设计的网络出版物也往往看起来别致优雅.如何设计出精彩的深......
场限环终端结构可以有效提高击穿电压,因而被广泛应用于半导体功率器件。场限环中多个参数都影响PiN二极管主结的击穿能力。本文基......
通过理论分析得出硅双结型色敏器件中掺杂浓度和两个结的结深是影响光谱响应范围的主要因素.通过选择不同的器件结构和工艺条件,得......
《纺织器材》期刊迎来了40周年华诞，抚今追昔，感慨系之。我于1985年7月毕业分配到陕西纺织器材研究所工作工作至今。近30年来，主要从......
对击穿电压为60 V,导通电阻为10 mΩVDMOSFET进行了优化设计.给出了外延层电阻率,外延层厚度,单胞尺寸等的优化设计方法和具体值.......
高低压兼容工艺对LDMOSFET漂移区的各参数设计提出了更高的要求.结合实际工艺,对LDMOSFET漂移区的长度、结深、浓度等进行了灵敏度......
基于横向侧扩散与纵向体扩散结深构成椭圆形冶金结外形这一与工艺实际相符合的假设,通过圆柱对称解的归一化,提出了平面结击穿电场......
研究了InGaAs/InP PIN探测器中扩散结深对光响应度的影响,对不同扩散条件下的光电探测器进行了对比实验,测量了不同结深下器件的I-......
为了消除EMCCD芯片背面平坦抛光光敏区的物理机械缺陷、可动电荷、硅表面界面不连续等产生的电荷态,降低器件暗电流和光电转换效率......
传统的结深测试方法有:汞探针电容法、扩展电阻法、染色SEM法等,上述方法都具有相应的优点和局限性,本文介绍另外一种通过侧面结电......
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随着IC工艺和器件物理研究的进展以及计算机技术的发展成熟,集成电路模拟软件的功能和应用也同步扩展。目前国内大型生产线上几乎......
针对通常研究中普遍将研究重点集中在如何提高光电探测器受光区域的光电转换性能上而忽略了非光照区域的现状,从光电晶体管的非光......
随着半导体制备工艺的高速发展,半导体器件的栅长不断减小,IC芯片所含的器件数目也在呈几何数字增长。目前器件的最小栅长已经达到......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
采用Sentaurus TCAD软件对n-on-p型Hg1-xCdxTe红外探测器的结构进行了建模,并就结深对光伏二极管电流的影响进行了仿真和分析。结......
采用Silvaco-TCAD仿真软件模拟了在一定注入能量下离子注入剂量、退火温度和时间对太阳电池表面方块电阻和结深的影响,并通过离子......
设计了一款800 V VDMOS终端结构,采用场限环(FLR)与场板(FP)相结合的方式,在场限环上添加多晶硅场板与金属场板,有效地降低了表面......
为了在微机电系统(microelectromechanical systems,MEMS)器件中进行热驱动,提出了设计微电阻作为热源的方法.电阻是通过微晶硼硅......
本文介绍了二次离子质谱仪的结构及其基本工作原理,并通过对典型应用的分析,介绍了二次离子质谱分析技术在高灵敏度碲镉汞红外焦平......
结势垒控制肖特基整流管(Junction—Barrier—controlled Schottky Rectifier缩写JBS)是一种新型的肖特基整流管,它集肖特基整流管......
本文利用简单的结终端技术——偏移场板技术对原来的GAT终端结构进行了改进，在不增加终端尺寸和工艺步骤的基础上将BVCBO分别提高到......
采用闭管扩散方式,对不同结构的异质结外延材料In0.81Al0.19As/In0.81Ga0.19As、InAs0.6P0.4/In0.8Ga0.2As、InP/In0.53Ga0.47As实......
在航天领域,单粒子瞬态效应(SET)是空间工作的集成电路不可避免的可靠性问题。集成电路工艺的缩减导致工作电压降低、工作频率升高......
