热电子应力相关论文
电流崩塌是目前GaN HEMT微波功率器件中最严重的问题之一，国内外都有研究，但尚无统一结论。通过实验，研究了GaN HEMT器件电流崩塌现象......
实验结果发现突发击穿(snapback),偏置下雪崩热空穴注入NMOSFET栅氧化层,产生界面态,同时空穴会陷落在氧化层中.由于栅氧化层很薄,......
AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)由于击穿场强大、电子峰值速度高和电子面密度大等优点,在微波大功率应用方面,已经得到......
复合电流曲线面积S这一参数被引入来研究了热电子应力下n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)中复合电流的退化特性。电子注......
