软击穿相关论文
研究了超薄栅氧化层(≤3.0nm)软击穿(softbreakdown,SBD)后的栅电流和衬底电流特性.提出了一个基于类渗流导电的SBD后栅电流和衬底......
可控硅触发电流IGT经常出现跳档,本文着重分析可控硅YCR008跳档原因并提出解决方案。...
描述了电子元件"软击穿"现象,对元件"软击穿"内、外部原因作了初步分析,说明了"软击穿"工厂检查方法,是一篇经验交流文章.......
文章简述了转子一点接地保护的原理，对转子一点接地保护误动进行了查找分析处理，提出在检修消缺中要重视元器件的软击穿，以便迅速处理......
10 kV配电线路因点多、线长、辐射区域广,与之相连的变压器、跌落式熔断器、隔离开关、避雷器、断路器、电容补偿设备等元件较多,......
大型医用设备的正常运转是保障医院正常医疗秩序的首要问题，维修和维护是关键。本文介绍大型医用设备的维修维护的学习方法心得体会......
数字万用表在测量时读数直观方便，但在脉冲电路和PN结软击穿方面的测量会造成误判。指针式万用表缺点是读数不直观，但在脉冲电路和PN......
利用电子速度饱和概念和比例差值方法(proportional difference operator,PDO)研究了超薄SiO2在第一次软击穿以后栅电流随着栅电压......
研究了在软击穿后MOS晶体管特性的退化。在晶体管上加均匀的电压应力直到软击穿发生的过程中监控晶体管的参数。在软击穿后，输出特......
研究了在恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性．软击穿时间由衬底电流随时间的弛豫特性和器件输出特性测量时监测的衬底......
可控硅是可控硅整流器的简称.它能在高电压、大电流条件下工作，具有耐压高、容量大、体积小等优点，它是大功率开关型半导体器件，广泛......
软击穿是与氧化层质量密切相关的一种新的击穿形式.当氧化层厚度小于5 nm时,软击穿效应显著,是超薄栅氧化层的主要失效机理.通过对......
实验结果发现突发击穿(snapback),偏置下雪崩热空穴注入NMOSFET栅氧化层,产生界面态,同时空穴会陷落在氧化层中.由于栅氧化层很薄,......
研究了高K(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的制备工艺,制备了有效氧化层厚度为2.9nm的超薄MOS电容。当栅氧化层很薄时会发生软击穿现象......
研究了恒压应力下超薄栅氧化层n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)软击穿后的导电机制.发现在一定的栅电压Vg范围内,软......
CMOS技术是现代集成电路的主流技术。在过去的将近20年里,MOSFET一直遵循摩尔定律的发展,特征尺寸不断缩小,并且不断逼近其物理极......
