热阻测量相关论文
GaN器件为高电子迁移率晶体管（HEMT）器件,它有AlGaN和GaN基器件,以其优异的电子迁移率、禁带宽度、高频、高温、大功率等特性,备受关......
根据目前多数高功率半导体激光器模块只适合工作在准连续(QCW)状态下的特点,提出了利用光谱方法测量半导体激光器温升进而计算得到......
建立了功率型LED结构,分析了其热阻模型,对采用高导热导电银胶、纳米银焊膏、大功率芯片键合胶、Sn70Pb30四种键合材料的LED进行了......
现场可编程门阵列FPGA具有运算速度快,灵活性强,功耗低等优势,已被广泛应用于通讯、图像、信息处理等领域。以FPGA内部门阵列搭建......
热阻是衡量LED器件/模块散热性能的重要参数。针对大电压LED器件/模块，实验采用 T3Ster/T eraled热光参数测试仪，利用外部电压源供电......
面料热阻是面料热学性能的重要评价指标，其准确性直接影响到服装的热舒适性。面料热阻测量标准有多个，各个标准都有相应的仪器，但不同......
MESFET微波功率器件是金属-半导体场效应晶体管，它有GaAs和GaN基器件，由于其优良的迁移率以及优异的高频、大功率、低噪声性能，越来越......
学位
摘 要:二极管静态热阻测量是半导体封装技术可靠性测试的关键测量参数,由此可以衍生出Mosfet、IGBT、GTR等多种材料的测量方法,是......
为了准确的测量GaN HEMT的热阻参数,在两种不同的管壳接触热阻条件下,利用经过改进的显微红外热像仪测量了GaN HEMT的降温曲线。采......
摘 要 本文主要对封装外形SOD-323小电流整流二极管进行研究，对结温环境和结温引线的热阻测试方法进行介绍。测量不同温度下被测样......
为满足LED散热课程实验教学环节中学生技能培养的需要，以6颗LED组装成的散热模块为实验对象，并将单颗LED在SSP8810～S型测试系统中测得......
在刚性压接型IGBT模块中,并联芯片的压力分布直接决定了接触热阻和接触电阻的大小。通常无法测量器件正常工作时的压力分布及其引......
基于结构函数理论,对同一管壳与基板的不同界面热性能进行研究,发现积分结构函数曲线出现分离,通过分离点可确定IGBT模块内部PN结......
热阻是衡量LED器件/模块散热性能的重要参数。针对大电压LED器件/模块,实验采用T3Ster/Teraled热光参数测试仪,利用外部电压源供电......
反向开关晶体管RSD(Reversely Switched Dynistor)是20世纪80年代由前苏联的科学家基于可控等离子层的换流原理提出的一种专门应用......
