电学法相关论文
碳化硅（SiC）器件具有禁带宽度宽、击穿电场高和热导率好等优点,尤其适用于高温、高压和大功率等工况。近年来,随着新能源汽车、航天......
临界热流密度是核反应堆安全运行中的重要参数,由于临界热流密度既受到流动参数的影响,又受到沸腾传热过程中多种潜在的相互作用的......
GaN器件为高电子迁移率晶体管（HEMT）器件,它有AlGaN和GaN基器件,以其优异的电子迁移率、禁带宽度、高频、高温、大功率等特性,备受关......
从振动的基本理论出发,应用矩阵光学理论,推导了光学图像法测试光束指向稳定性的原理。经推导,光学器件受微振动影响,终端光束位置......
从振动的基本理论出发,应用矩阵光学理论,推导了光学图像法测试光束指向稳定性的原理。设计了光电法测试光束指向稳定性的测试应用......
针对传统电学法水汽透过率(water vapor transmission rate,WVTR)测试高精度、低准度的问题,提出了一种电流分布特性修正的高准度W......
综述了几种常用的填埋场渗漏检测方法,指出电学法已成为填埋场不同运行阶段(施工期和运营期)渗漏检测的主流方法。分析了各阶段电......
采用快速脉冲技术,研制了GaAs MESFET热特性测试仪,并测量、分析了GaAs MESFET冷响应曲线、温升、稳态热阻、瞬态热阻及热响应曲线......
对微波MMIC芯片瞬态热特性测试进行了归纳和分析,借鉴传统热特性分析的数学处理方式,根据红外测试中施加周期脉冲的实际情况,结合......
本文基于动态电学法,研制开发出多通道大功率LED热阻测试仪器.通过实际热阻测试表明该仪器具有操作界面简单方便、测试时间短、全......
利用热仿真软件，对器件的结构参数和电参数变化时器件内部热场的变化进行了研究，获得了发谢极镇流（扩散）电阻的最佳设计值；证明了在测试......
该论文来源于"十五"863高科技研究发展计划项目(2001AA644010):城市生活垃圾生态填埋成套化技术及设备.当垃圾填埋场人工衬层(土工......
简单介绍结温、热阻测试的重要性及电学法测试原理。以1 W白光LED灯珠为研究对象,通过小电流测试K系数法测量灯珠的结温、热阻,利......
论文分析了电学法热阻测试仪的工作原理及测量过程，明确了测量过程中各个电、热参数对热阻测试结果的作用和意义。由热阻的基本定义......
采用快速脉冲技术，研制了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ热特性测试仪，并测量、分析了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ冷响应曲线、温升、稳态热阻、瞬态热阻及热响应曲线。采用该方法，可在器件正常......
对GaAs基808 nm半导体激光器进行恒流老化试验,并利用电学法观察退化过程中激光器有源区温度变化和热阻,发现有源区温度随老化时间......
半导体器件电学法结温测试过程中,校温过程同测温过程的热分布状态存在差异,导致串联电阻阻值不一致,是影响脉冲电流方法结温测试......
为了有效实现对微波功率器件的热特性分析，在瞬态红外设备基础上开发了一套用于获取微波功率器件降温曲线的测量系统。分析了瞬态红......
本文介绍了用标准芯片法测量半导体器件的封装热阻的测试原理及测量装置，并对该测量系统的重复性及误差进行了讨论通过对半导体ＰＮ结温......
热阻值是衡量功率VDMOS器件热性能优劣的重要参数,但在实际的热阻测试过程中,诸如测试电流、延迟时间、壳温控制等因素都会对测试......
采用快速脉冲技术，研制了ＧａＡＭＥＳＦＥＴ热特性测试仪，并测量，分析了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ冷响应曲线、温升、稳态热阻、瞬态热阻及入曲线。采用该方法，可在器件正常工作条......
利用电学法测量器件的温升、热阻及进行瞬态热响应分析是器件热特性分析的有力工具。本文利用电学法测量了ＧａＡＳ ＭＥＳＦＥＴ在等功率下，加热响应曲......
与场效应管不同，MMIC功放由于集成了电阻、电容等电子元器件，其热特性的电学法测量非常困难。文中研究并设计了相应的测量方法和装置......
针对晶体管在加速寿命实验和老炼实验等实际工程中结温的在线测控问题,本文基于大电流电学测温方法研究了型号为2N3055的双极大功......
本文以振动的基本理论为基础,利用矩阵光学理论,总结了光学图像法测试光束指向稳定性的定理。通过进行实验光路的测试以及光电法测......
<正> 1 引言 随着功率GaAs MESFET广泛的应用,它的热可靠性越来越引起人们的极大关注。用器件本身电学参数随温度的变化测量器件的......
首先对各个分量的不确定度进行分析,得出各分量的相对不确定度,再计算热阻的合成不确定度。对各个分量按照A类和B类不确定度分别进......
对目前国外几种垃圾填埋场防渗漏检测方法:地下水检测法、扩散管法、电容传感法、追踪剂法、电化学感应电缆法及电学法,进行了详细......
论文分析了电学法热阻测试仪的工作原理及测量过程,明确了测量过程中各个电、热参数对热阻测试结果的作用和意义。由热阻的基本定......
为了准确测量和评估功率器件的热特性,综合介绍功率器件的结温和热阻测试相关的方法和技术标准。分析了早期的JESD51-1标准中结-壳......
本文介绍了用标准芯片法测量半导体器件的封装热阻的测试原理及测量装置,并对该测量系统的重复性及误差进行了讨论。通过对半导体P......
为了解决国内绝缘栅双极型晶体管(IGBT)生产和使用中热阻测试问题,采用电学法的测量原理并与嵌入式技术相结合的方式,设计了一种以......
期刊
针对功率循环实验中绝缘栅双极型晶体管（insulated gate bipolar transistor,IGBT）温度过冲和滞后问题,设计了一种自校准PID算法控制......
绝缘栅双极晶体管（IGBT）作为一种新型电力电子器件的代表，具有绝缘栅场效应晶体管（MOSFET)和双极型晶体管（BJT)的共同优点，是MOSFET和BJT......
运用电学测试法,以TO-39和TO-254两款不同封装类型功率VDMOS为实验对象,深入研究了耗散功率和环境温度对器件稳态热阻值的影响。结......
随着节能技术的发展,LED作为一种半导体照明技术,得到研究者的关注。以此为背景,针对LED灯工作过程中产生大量热量的散热技术开展......
绝缘栅双极晶体管(IGBT)工作时会产生大量的热,这不仅会影响到其工作的可靠性,还会对其周围的电路产生影响,降低整个系统的性能。......
热阻是功率器件一个重要的热性能参数,影响着结温的高低,同时也用于确定器件结温以及功率器件的安全工作温度范围。每只器件热阻值......
LED照明已成为21世纪最引人注目的新技术领域之一,其中的大功率LED更是能适应普通照明领域的需要。然而结温和热阻制约着大功率LED......
对功率VDMOS源漏间寄生PN结正向结电压VDS随温度变化的特性进行了测量,发现VDS与结温T存在良好的线性关系,通过理论推导进行了分析......
本文简述了半导体器件的温度测量方法，重点介绍了适用于氮化镓（GaN）基高电子迁移率晶体管（HEMTs）器件的四种热测试技术及其在GaN基HEMTs......
