电路老化相关论文
随着晶体管研制水平到达纳米尺寸,电路可靠性问题愈发严重,负偏置温度不稳定性(Negative Bias Temperature Instability,NBTI)导致......
随着我国社会的发展,集成电路被越来越广泛地应用到人们的生产、生活之中,其安全性、稳定性也受到人们越来越严格的要求,所以有关......
为解决现有针对门替换方法的关键门识别方法中存在不可防护的关键门问题,文章提出一种考虑可防护性的关键门识别方法。首先利用现......
为缓解负偏置温度不稳定性（negativebiastemperatureinstability，NBTI）效应引起的电路老化，提高电路可靠性，提出一种在电路待机状态下应......
通过对电路老化检测与查找表(Look-Up Table,LUT)方法的研究,提出一种基于查找表的电路老化检测传感器设计方案.该方案首先建立老......
CMOS集成电路中由负温度不稳定性效应引起的老化已经严重威胁电路的可靠性，在一些安全关键领域的数字电路系统中老化问题尤为突出，而......
为解决现有门替换技术应用中存在的时延仿真不精确和关键门选取冗余问题,对时序分析方法进行改进,通过引入电路内部节点信息,准确......
集成电路老化效应会导致组合电路关键路径时延增加,不满足电路时序约束条件,从而引起时序错误,使得电路功能失效.为此,提出一种基......
针对电路老化试验箱温度控制精度较高的要求和温度控制系统的大时滞、非线性特性，设计出一种基于固态继电器和自整定PID算法的恒温......
Integrated circuits play an increasingly important role in various fields.The aging effects,which lead to robustness pro......
实验室的安全威胁有多方面，如触电、火灾等；设备老化是实验室的隐性威胁；在加强管理制度建设的同时，更要关注设备老化问题。建议制定国......
集成电路制造工艺的不断进步,带来电路性能上的极大提升和制造成本的不断降低,但同时也使得集成电路系统的可靠性问题变得更加严峻......
随着晶体管特征尺寸的不断减小,威胁数字电路可靠性的一个重要因素是负偏置温度不稳定性。为了缓解NBTI效应对电路产生的老化影响,......
晶体管制造技术水准的不断精进,使其尺寸不断缩小,集成电路的性能表现得到巨大改善,制作成本也随之大幅度降低,但同时也使得晶体管......
集成电路工艺水平进入深亚微米时代后，电路老化效应已成为威胁电路可靠性的新挑战。对电路老化导致的电路失效防护问题进行研究，提出......
随着大数据时代的悄然而至,集成电路应用的过程中被人们提出了较高要求,为了提升数字集成电路应用的安全性和稳定性,应做好电路老......
微电子技术已经成为21世纪不可或缺的技术,与我们的生活息息相关。它是计算技术、自动控制、纳米、通信技术的基础。集成度的日益......
随着集成电路技术的不断发展，集成电路的性能在不断的提高。然而，集成电路集成度的提高也对其可靠性带来了新的威胁。在集成电路制造......
随着科学技术的进步,晶体管尺寸不断逼近物力极限,使得NBTI((Negative Bias Temperature Instability))效应成为影响集成电路老化......
45 nm工艺下,负偏置温度不稳定性（negative bias temperature instability,NBTI）效应是限制电路的性能的首要因素。为了缓解NBTI效应......
晶体管老化效应已成为影响集成电路可靠性的重要因素.文中基于晶体管老化效应的物理模型,提出一种电路老化分析框架来预测集成电路......
