NBTI效应相关论文
随着集成电路产业的高速发展,处于灰色地带的假劣集成电路现象愈演愈烈,一方面给集成电路产业造成了巨大的经济损失,另一方面,给集......
提出了基于神经网络的逻辑门退化延迟模型.根据逻辑门延迟数据特征,采用神经网络BP算法,对仿真样本数据进行训练,获得7种基本逻辑......
本文深入研究了P+栅PMOSFET中的NBTI效应,首先通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化,基于这些实验结果提出了一种可......
随着CMOS器件尺寸的不断缩小，集成电路设计阶段的可靠性问题变得愈加重要，NBTI效应作为重要的可靠性问题之一得到了大量的研究，并从电......
在PMOSFET上施加负栅压和高温应力后,出现的NBTI效应是超深亚微米MOS器件中重要的可靠性问题之一.研究了NBTI效应对PMOSFET器件参......
摘要：随着半导体工艺技术进入纳米阶段，集成电路的集成度与性能随之不断提升，但由此引起的可靠性问题也日益凸显，严重威胁着集成电路的......
深纳米量级的工艺下,器件特征尺寸的减小对集成电路的可靠性设计提出了更高的要求。低电场下的负偏压温度不稳定(NBTI)效应已然成......
自摩尔定律诞生以来,半导体技术已经按照该规律发展了半个世纪。2013年国际半导体技术发展路线图(ITRS, International Technology......
随着晶体管特征尺寸的减小,负偏压温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)已经成为影响电路老化的关键因素,准......
随着半导体工艺技术进入纳米阶段,集成电路的集成度与性能随之不断提升,但由此引起的可靠性问题也日益凸显,严重威胁着集成电路的......
FPGA(Field Programmable Gate Array)现场可编辑逻辑门阵列,是当今硬件设计中应用十分广泛的新型高性能逻辑器件。FPGA具有功能强......
随着集成电路进入深亚微米级时代，供电电压和工艺尺寸不断减小，电路在工作的过程中，易于受到粒子冲击、外界噪声引起的软错误影响，造成......
纳米级工艺的栅氧化层厚度仍在继续缩小，但是由于功率MOS器件的广泛应用，超厚栅氧化层工艺仍有其研究的价值。功率VDMOS因为其优良的......
集成电路自诞生以来一直按照摩尔定律的趋势发展，集成电路的飞速发展使整个社会发生了巨大的变革，使人们的生活更加方便和轻松；集成电......
随着科学技术的进步,晶体管尺寸不断逼近物力极限,使得NBTI((Negative Bias Temperature Instability))效应成为影响集成电路老化......
研究了超深亚微米PMOS器件中的NBTI(负偏置温度不稳定性)效应，通过实验得到了NBTI效应对PMOSFET器件阈值电压漂移的影响，并得到了在N......
