输入向量控制相关论文
随着工艺技术的不断进步和电路集成度的不断提高，CMOS电路的静态漏电功耗已经开始成为纳米级设计领域所面临的最严峻的挑战之一。而......
随着芯片工艺技术的发展,漏电逐渐成为功耗的主要部分,特别是当一个电路频繁进入空闲状态的时候。输入向量控制（IVC）技术可以有效地......
提出了一种用于输入向量控制漏电优化的混合遗传算法。该算法首先根据输入信号对电路泄漏功耗的不同影响，将其划分为关键输入信号和......
当晶体管的特征尺寸减小到45nm时,电路的可靠性已经成为影响系统设计一个关键性因素。负偏压温度不稳定性(NBTI)和泄露功耗引起的......
随着集成电路工艺进入纳米时代,VLSI漏电功耗迅速增加,增加了实时功耗管理系统的面积开销.为了大幅度减小反向衬底偏置(RBB)控制管......
随着集成电路的工艺水平进入到纳米层级时,器件的诸多负面效应逐渐突显出来,其中负偏置温度不稳定性(Negative Bias Temperature I......
晶体管制造技术水准的不断精进,使其尺寸不断缩小,集成电路的性能表现得到巨大改善,制作成本也随之大幅度降低,但同时也使得晶体管......
随着工艺的发展,为保证电路的性能和噪声容限必须降低阈值电压,这将导致漏电流呈指数增长,漏电功耗因而将逐渐超过动态功耗占据主......
在近些年里,计算机处理器设计的发展是非常迅速的。其中一个明显的特征就是,随着工艺水平的提高,处理器的规模越来越大,性能越来越......
在纳米工艺水平下,负偏置温度不稳定性(Negative Bias Temperature Instability, NBTI)效应引起的电路老化成为威胁数字集成电路可......
随着科学技术的进步,晶体管尺寸不断逼近物力极限,使得NBTI((Negative Bias Temperature Instability))效应成为影响集成电路老化......
随着工艺技术的不断进步和电路集成度的不断提高,CMOS电路的静态漏电功耗已经开始成为纳米级设计领域所面临的最严峻的挑战之一。......
